Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜

华缜 靳正国 武卫兵 程志捷

引用本文: 华缜, 靳正国, 武卫兵, 程志捷. Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜[J]. 应用化学, 2005, 22(2): 138-141. shu
Citation:  HUA Zhen, JIN Zheng-Guo, WU Wei-Bing, CHENG Zhi-Jie. Preparation of p-CuSCN Thin Film by Electrochemical Deposition in Aqueous Solution[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 2005, 22(2): 138-141. shu

Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜

    通讯作者: 靳正国,男,1952年生,教授,博士生导师;E-mail:zhgjin@tju.edu.cn;研究方向:功能材料
  • 基金项目:

    天津市自然科学基金重点资助项目(F103004) (F103004)

摘要: 用电化学沉积法,以水作溶剂,在ITO透明导电玻璃上制得p-CuSCN薄膜。探讨了Cu(SCN)2在水溶液中的不稳定性及EDTA络合对提高CuSO4和KSCN水溶液稳定性的作用。研究结果表明,未加EDTA络合剂时,CuSO4和KSCN在水溶液中将分解成CuSCN和(SCN)x;加入EDTA可以制得稳定的CuSO4和KSCN的水溶液;在-400 mV恒电位下,在EDTA与Cu2+的摩尔比为1:1的水溶液中可以制备出在可见光区透光性好的CuSCN薄膜,薄膜的平均粒径约为50 nm,是p型的β-CuSCN半导体,光学带隙为3.8 eV,测得的表面电导率为0.8×10-3 S/cm。

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  • 收稿日期:  2004-04-27
  • 网络出版日期:  2004-10-29
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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