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• 0.   引言

  随着世界人口的增加和规模化养殖业的快速增多，全球抗生素消费量持续增长，导致大量的抗生素通过多种方式被排放到水体环境中，对水生生态系统和人类健康造成严重危害^[1-3]。半导体光催化技术可以直接利用太阳能降解水体中各种污染物，因而具有能耗低、成本低、反应条件温和等优点，在环境污染治理方面表现出广阔的发展前景^[4-5]。然而，传统的半导体光催化剂如TiO₂、ZnO等在应用中存在许多问题，如太阳能利用率低、光生电子与空穴复合率高，造成光催化效率降低^[6-8]。为此，科研人员不断研发新型可见光催化剂以提高半导体光催化效率。

  2010年Ye课题组首次报道了一种新型高效可见光催化材料Ag₃PO₄，其在可见光的照射下表现出非常强的氧化能力和分解有机污染物的能力，量子效率达到92%，远远高于此前的其他金属氧化物^[9]。然而，由于Ag₃PO₄在光催化反应过程中容易受到光电子的腐蚀而变得不稳定，限制了其应用。为了改善Ag₃PO₄的光催化活性和稳定性，科研人员构筑了Ag₃PO₄基复合光催化材料如TiO₂/Ag₃PO₄、ZnO/Ag₃PO₄、SnO₂/Ag₃PO₄、Fe₃O₄/Ag₃PO₄、AgX/Ag₃PO₄(X=Cl、Br、I)等^[10-15]。研究结果显示，在Ag₃PO₄基复合光催化体系中，由于2个半导体之间的能级相互匹配，使光生电子和空穴转移到不同的半导体上，不仅增强了复合光催化剂的活性，同时有效改善了Ag₃PO₄的稳定性。其中基于一种Z型机理的全固态半导体复合结构引起了广泛关注^[16-18]。在Z型Ag₃PO₄基半导体复合光催化剂中，Ag₃PO₄导带上的电子与另一半导体价带上的空穴直接复合，这不仅减少了光生电子的腐蚀，而且其价带上保留氧化能力强的空穴可以参与有机污染物降解反应，进一步提高复合光催化剂的催化活性。在研究过程中人们发现其中一种半导体的导带电势对于整个复合半导体的催化活性也具有重要的影响。目前报道的Z型Ag₃PO₄基复合半导体中所用的半导体如MoS₂^[19]、WO₃^[20]、BiVO₄^[21]等的导带电势较高，因此限制了复合半导体性能的进一步提升。因此，人们不断寻找具有合适导带、价带电势的半导体与Ag₃PO₄构筑高性能Z型复合半导体光催化剂。

  石墨相氮化碳(g-C₃N₄)作为一种不含金属组分的可见光光催化剂，被广泛应用于光解水产氢产氧、光催化有机选择性合成、光催化降解有机污染物等^[22-26]。g-C₃N₄与Ag₃PO₄能够形成复合光催化剂^[27-33]，但其复合机理仍然存在争议。有研究认为g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的催化机理遵循传统双电荷转移机理，而从能带结构上分析，g-C₃N₄极有可能与Ag₃PO₄构筑Z型复合半导体，而且g-C₃N₄的导带电势较低，因此处在其导带上的电子的还原性更强，有利于复合半导体性能提升。另外，传统热缩聚法制备的g-C₃N₄结晶不完整(使其产生较多缺陷)且比表面积较小，这将对与Ag₃PO₄形成复合光催化剂造成不利影响。因此，开发、研究新型纳米结构的g-C₃N₄对于Z型Ag₃PO₄基复合半导体的构建具有十分重要的意义。

  我们首次构筑高活性中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合可见光催化剂，并证实其Z型催化机理。以三聚氰胺为前驱体，氯化钠和氯化锂复合盐为熔盐体系，利用熔盐热聚法合成一种新型中空管状结构g-C₃N₄，然后通过化学沉淀法与Ag₃PO₄形成中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂。以盐酸四环素(TC)为目标污染物，在可见光照射下研究复合催化剂的光催化活性，通过自由基捕获实验探寻活性物种并探究复合光催化剂的催化机理，并通过循环实验考察复合催化剂的稳定性。

  1.   实验部分

  1.1   中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的制备

  中空管状结构g-C₃N₄的合成：参考文献^[34]采用熔盐法合成中空管状g-C₃N₄。将1 g三聚氰胺和4.5 g氯化锂、5.5 g氯化钾在研钵中充分混合，转移至氧化铝坩埚，再将其置于马弗炉中进行反应，设定反应温度为500 ℃，升温速度为10 ℃·min^-1，反应时间为4 h。反应结束后，依次采用去离子水、无水乙醇对反应产物进行洗涤，最后将产物在80 ℃干燥12 h即可得到中空管状结构g-C₃N₄。

  中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的制备：称取0.1 g中空管状结构g-C₃N₄置于50 mL的去离子水中，超声分散10 min，然后转移至磁力搅拌器上，在磁力搅拌下将1.27 g硝酸银加入上述溶液中，避光搅拌10 min。将1.17 g磷酸钠溶解于50 mL去离子水中，待溶解完全后，滴加到管状g-C₃N₄和硝酸银溶液中。滴加完成后再搅拌30 min，然后进行过滤、洗涤。将产物在80 ℃干燥12 h即可得到样品，标记为U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄。为了比较，采用机械研磨法制备中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂：分别称取0.5 g Ag₃PO₄(按照上述过程中的化学沉淀法制备)和0.1 g中空管状结构g-C₃N₄置于玛瑙研钵中，充分研磨30 min，得到的样品标记为M-g-C₃N₄/Ag₃PO₄。

  1.2   结构表征

  采用荷兰飞利浦公司的X射线衍射仪(XRD，Philips X′Pert MPD)进行晶体结构测定，以Cu Kα作为辐射电源(波长为0.154 18 nm)，工作电压40 kV，工作电流20 mA，扫描范围10°~70°，扫描速度4 (°)· min^-1。采用扫描电子显微镜(SEM，S-4800，工作电压5 kV)观察样品的表面形貌和微观结构。采用PHI5000C ESCA System(Al Kα，280.00 eV)型X射线光电子能谱分析仪(XPS)测试样品的化学组成。采用紫外可见近红外光谱仪(UV-3600)测试样品的紫外可见漫反射光谱。采用荧光光谱仪(Fluorolog-3) 测试样品在室温下的荧光光谱。

  1.3   光催化剂的性能测试

  以TC为降解物评价光催化剂的催化活性。具体实验过程如下：将10 mg光催化剂加入到100 mL初始浓度为10 mg·L^-1的TC水溶液中，超声5 min将光催化剂分散，然后避光磁力搅拌30 min以使催化剂与TC达到吸附-脱附平衡。在室温下，以300 W氙灯为光源(且在光源下放置滤光片滤去紫外光)启动反应。每隔一定时间取出TC溶液并采用752型紫外可见分光光度计于357 nm测试TC溶液吸光度(A)的变化。根据降解率公式计算出催化剂对TC溶液的降解率(η)：

  $ η=(c_0-c)/c_0×100 \%=(A_0-A)/A_0×100 \% $

  (1)

  式中，c₀为TC溶液的初始浓度，c为降解反应过程中某时刻TC溶液的浓度；A₀和A分别为TC溶液浓度为c₀和c时对应的吸光度值。

  活性物种捕获实验：以U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄为催化剂，降解条件与之前保持一致。分别向TC溶液中加入草酸铵(AO)、苯醌(BQ)、异丙醇(IPA)捕获剂，浓度均为1 mmol·L^-1。测试TC溶液吸光度随时间变化的曲线，依据公式1计算捕获剂加入后对TC溶液的降解率。

  催化剂的光电流响应实验：在电化学工作站(上海辰华CHI 660D)，采用三电极系统测试，以Pt为对电极，Ag/AgCl为参比电极，涂覆在ITO导电玻璃上的催化剂作为工作电极，0.5 mol·L^-1 Na₂SO₄溶液为电解液，光源为300 W氙灯。

  2.   结果与讨论

  2.1   中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的结构分析

  图 1是不同样品的XRD图。中空管状g-C₃N₄在12.00°、21.00°、24.30°、26.40°、29.10°和32.40°处出现明显的衍射峰，分别对应g-C₃N₄(PDF No.90-2173) 的(100)、(110)、(200)、(002)、(102)和(210)晶面。其衍射图与通常热聚合三聚氰胺得到的七嗪环g-C₃N₄结构有明显不同。结果显示中空管状g-C₃N₄是三嗪环结构的g-C₃N₄^[35-36]。化学沉淀法合成的Ag₃PO₄在20.88°、29.70°、33.29°、36.59°、42.49°、47.79°、52.70°、55.02°、57.28°、61.64°、69.89°和71.89°处出现明显的衍射峰，分别对应立方相Ag₃PO₄ (PDF No.06-0505)的(110)、(200)、(210)、(211)、(220)、(310)、(222)、(320)、(321)、(400)、(300)和(420)晶面。XRD结果表明通过化学沉淀法成功制备了纯相的Ag₃PO₄晶体。不同方法制备的g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合催化剂的衍射图中主要出现的衍射峰均归属于立方相Ag₃PO₄晶体相，而中空管状g-C₃N₄的特征衍射峰仅在12.00°、24.30°出现。这是因为在复合催化剂体系中中空管状g-C₃N₄所占比例较少。同时衍射图中并没有检测到其他的峰，表明2种催化剂在复合过程均能保持自身结构的稳定性。

  图 1

  

  图 1.  不同样品的XRD图

  Figure 1.  XRD patterns of different samples

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  2.2   中空管状U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的表面化学成分分析

  为了确定复合光催化剂表面的化学组成和元素价态，对样品进行XPS测试，结果见图 2。从全谱图中(图 2a)可以看出复合催化剂中存在C、N、Ag、O、P五种元素。在C1s高分辨谱图(图 2b)中，284.7 eV处的结合能属于C—C键的特征峰，源自表面污染的有机物，结合能在287.5 eV处的特征峰归属于芳香环内sp²杂化相碳^[37]。图 2c中的N1s高分辨谱图中，398.2、399.7 eV处分别对应C=N—C和N—(C)3两种化学环境的氮元素^[38]。Ag3d高分辨谱图(图 2d) 中，367.8和373.8 eV处的特征峰分别对应Ag₃PO₄晶体中Ag⁺的Ag3d_5/2和Ag₃d_3/2^[39]。图 2e是O1s的高分辨谱图，530.7和532.3 eV处的2个特征峰分别对应Ag₃PO₄晶体中的氧原子和催化剂表面的羟基基团^[40]。图 2f是P2p的高分辨谱图，其中位于133.3 eV处的特征峰归属于Ag₃PO₄晶体中的磷原子^[41]。

  图 2

  

  图 2.  U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄的(a) XPS全谱图及(b~f) 高分辨XPS谱图

  Figure 2.  (a) XPS survey spectrum and (b-f) high-resolution XPS spectra of U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄

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  2.3   中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的形貌分析

  图 3是不同样品的SEM照片。从图 3a中可以看出，化学沉淀法制备的Ag₃PO₄晶粒细小，存在着明显的团聚。图 3b是熔盐法制备的g-C₃N₄，其呈现中空管状形貌，管口呈方形，大小不均一，长度在几微米到十几微米。图 3c是机械研磨混合的中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂，可以看出由于机械研磨的作用，中空管状g-C₃N₄受到一定程度的破坏，而且其表面Ag₃PO₄的负载量较低，从而减少了异质结的形成。图 3d是化学沉淀方法制备的中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的SEM图。由图可知，中空管状g-C₃N₄表面负载大量的Ag₃PO₄纳米颗粒，且紧密结合形成异质结。以上结果表明化学沉淀法可以有效地实现中空管状g-C₃N₄与Ag₃PO₄纳米颗粒复合。

  图 3

  

  图 3.  Ag₃PO₄ (a)、g-C₃N₄ (b)、M-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ (c)、U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ (d)的SEM图

  Figure 3.  SEM images of Ag₃PO₄ (a), g-C₃N₄ (b), M-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ (c), and U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ (d)

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  2.4   中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的光谱分析

  图 4a为不同样品的紫外可见漫反射光谱图。从图中可以看出纯Ag₃PO₄从紫外光区到可见区域出现明显的吸收，其吸收边为530 nm左右，中空管状g-C₃N₄的吸收边在460 nm左右，表明其对可见光具有一定的吸收。与g-C₃N₄相比，复合光催化剂对可见光的吸收增强且吸收边发生明显的红移，其中U -g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的红移程度更为明显，这表明g-C₃N₄与Ag₃PO₄形成良好的异质结，与SEM结果相符。

  图 4

  

  图 4.  不同样品的紫外可见漫反射光谱(a)和估算禁带宽度值(b)

  Figure 4.  UV-Vis diffuse reflectance spectra (a) and estimated band gap values (b) of different samples

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  图 4b为通过Kubelka-Munk公式：(αhν)ⁿ=A(hν-E_g)(其中α为吸收系数，A为比例常数，E_g为禁带宽度，h为普朗克常量，ν为光的频率，n与半导体是直接半导体或间接半导体有关，g-C₃N₄与Ag₃PO₄为直接半导体，n取0.5)，以(αhν)^0.5对hν作图，对曲线做切线，其与横坐标的交点即为半导体禁带宽度值。结果显示g-C₃N₄、Ag₃PO₄、M-g-C₃N₄/Ag₃PO₄和U-g-C₃N₄/ Ag₃PO₄的禁带宽度值分别为2.78、2.48、2.63和2.59 eV。复合物的禁带宽度值在g-C₃N₄与Ag₃PO₄的禁带宽度值之间，表明g-C₃N₄与Ag₃PO₄形成了界面结合，从而影响禁带宽度值。

  研究表明，可以通过测定原子荧光光谱来揭示催化剂受光激发后内部电子-空穴对的复合情况^[42]。图 5a为不同样品的荧光光谱。其中中空管状g-C₃N₄和纯Ag₃PO₄的荧光强度较高，说明这2种光催化剂中光生电子-空穴对复合比较严重。当g-C₃N₄与Ag₃PO₄形成复合物后，其荧光强度明显减弱，尤其是U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的荧光强度最低。这表明在复合物体系中光生电子-空穴对的复合程度降低，分离效率增强，这有利于复合光催化剂性能的提升。图 5b是可见光照射下不同样品的光电流响应图，在相同的可见光照射开关循环过程中，Ag₃PO₄、中空管状g-C₃N₄和M-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的光电流强度较小，而U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂有显著的光电流强度，这表明复合物中存在明显的电子转移现象，该结果与荧光光谱的结果也是一致的。

  图 5

  

  图 5.  不同样品的荧光光谱(a)和可见光照射下光电流响应曲线(b)

  Figure 5.  Photoluminescence spectra (a) and photocurrent response curves under visible light irradiation (b) of different samples

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  2.5   中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的光催化性能分析

  图 6a为不同样品在可见光下对TC的降解曲线。纯Ag₃PO₄、中空管状g-C₃N₄在80 min内对TC的降解率分别为65%、40%，说明Ag₃PO₄和中空管状g-C₃N₄在可见光照射下对TC均有一定的催化活性。当g-C₃N₄与Ag₃PO₄形成复合物后，其中M-g-C₃N₄/ Ag₃PO₄、U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂在80 min内对TC的降解率分别为74%、98%，表明中空管状g-C₃N₄与Ag₃PO₄形成复合结构后，光催化性能得到较大提升，其中U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂降解性能尤为突出。此外对于低浓度污染物，光催化降解满足一级动力学模型：ln(c/c₀′)=-kt，其中c是TC浓度，c₀′是光催化反应开始时TC浓度，t是反应时间，k是反应速率常数。根据上述模型进行的线性模拟如图 6b所示。由直线斜率可求得反应速率常数。U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄的反应速率常数(0.042 0 min^-1)是纯相Ag₃PO₄(0.013 3 min^-1)的3倍。结果显示复合催化剂较纯相Ag₃PO₄对TC有更快的降解速率。

  图 6

  

  图 6.  不同样品对TC的降解曲线(a)和反应动力学拟合曲线(b); Ag₃PO₄和U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄的循环降解实验(c) 和5次循环后的XRD图(d)

  Figure 6.  Degradation curves (a) and reaction kinetic plots (b) of photocatalytic degradation of TC by different samples; Recycle experiments (c) and XRD patterns after five cycles (d) of Ag₃PO₄ and U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄

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  为了考察Ag₃PO₄以及U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合催化剂的稳定性，通过离心回收光催化剂并充分干燥后进行下一次循环降解，降解条件与之前保持一致，循环次数为5次，实验结果如图 6c所示。Ag₃PO₄在循环实验过程中，光催化性能下降明显，第5次的降解率仅为27%；U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合催化剂则保持较好的催化稳定性，第5次的降解率为87%。经过5次循环实验后样品的XRD图如图 6d所示。在Ag₃PO₄的XRD图中，38.10°出现一个新的衍射峰，经过比对可知，此衍射峰为单质银的(111)晶面，说明经过多次可见光照射后，Ag₃PO₄受到光生电子的腐蚀，银离子被还原为单质银。在U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合催化剂的XRD图中，并没有发现单质银的衍射峰。结果显示U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合催化剂具有优良的稳定性。

  2.6   中空管状U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的催化机理分析

  为进一步了解光催化反应过程中各种活性物种所起的作用，以U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合物为光催化剂，选择不同的捕获剂进行光降解实验。其中，AO是空穴(h⁺)捕获剂，BQ是超氧自由基(·O₂^-)捕获剂，IPA是羟基自由基(·OH)捕获剂^[43]。各种捕获剂对TC降解率的影响如图 7所示。可以看出，分别加入IPA、BQ和AO后，TC的降解率分别为78%、54% 和48%，均出现了下降，其中BQ和AO的加入对TC的降解表现出明显的抑制效果。结果表明：·O₂^-、h⁺、·OH都存在于光催化降解TC反应体系中，其中主要活性物种是·O₂^-和h⁺。利用经验公式E_CB=X-E_e-E_g/2可以估算半导体的导带电势(E_CB)^[44]，其中X是半导体中各原子电负性平均值，E_e是相对于标准氢电极的电子自由能(4.5 eV)。估算出的中空管状g-C₃N₄的E_CB为-0.75 eV。依据E_VB=E_CB+E_g可计算出半导体的价带电势(E_VB)。由紫外可见漫反射光谱测出g-C₃N₄的E_g为2.78 eV，可得g-C₃N₄的E_VB为2.03 eV。同理可得Ag₃PO₄的E_CB为-0.24 eV，E_VB为2.70 eV，该值与文献报道值较为接近^[45-46]。根据传统的异质结理论，由于g-C₃N₄的导带比Ag₃PO₄的导带更低，光激发后产生的电子将从g-C₃N₄导带迁移到Ag₃PO₄导带上。而Ag₃PO₄的价带比g-C₃N₄的价带更高，光激发后产生的空穴将从Ag₃PO₄价带迁移到g-C₃N₄价带。由于·O₂^-/O₂的氧化还原电势(-0.33 eV)比Ag₃PO₄的导带电势更低，因此迁移到Ag₃PO₄导带上的电子将无法与氧气反应产生·O₂^-，而大量电子在Ag₃PO₄晶体表面聚集将导致Ag₃PO₄的光电流腐蚀。这与U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的稳定性实验结果是不符合的。其次，由于g-C₃N₄的价带电势小于·OH/ H₂O的氧化还原电势(2.37 eV)，因此迁移到g-C₃N₄价带上的空穴无法将水氧化产生·OH，这与捕获实验中·OH也是其中的一个活性物种的结果是不相符合的。基于U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂的光稳定性以及捕获实验结果，我们提出了一个可能的Z型光催化机理(图 8)。Ag₃PO₄导带上的电子和g-C₃N₄价带上的空穴直接结合，这样Ag₃PO₄价带上的空穴和g-C₃N₄导带上的电子就被有效分离。Ag₃PO₄价带上的空穴不仅能够直接氧化分解TC，而且其高的价带电势，可以氧化水产生·OH，从而氧化分解TC。Z型机理的解释与复合催化剂的光稳定实验结果及捕获实验结果一致。

  图 7

  

  图 7.  不同捕获剂对U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合催化剂光降解TC的影响

  Figure 7.  Effect of different trapping agents on the degradation of TC by U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄

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  图 8

  

  图 8.  U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂降解机理示意图

  Figure 8.  Schematic diagram of degradation mechanism of U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ composite photocatalyst

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  3.   结论

  以熔盐法制备的中空管状g-C₃N₄为载体，采用化学沉淀法成功制备了中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂。Ag₃PO₄纳米颗粒均匀负载在中空管状g-C₃N₄的表面，两者紧密结合形成异质结。在可见光照射下，中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂对盐酸四环素具有优异的降解特性，循环实验表明复合光催化剂具有良好的稳定性。自由基捕获实验证实了复合光催化剂中存在的主要活性物种是空穴(h⁺)和超氧自由基(·O₂^-)，依据半导体能带理论，证实了复合催化剂的催化机理是Z型异质结机理。中空管状g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂作为一种高活性、高稳定性的光催化剂在环境污染治理领域具有潜在的应用前景。

  
  
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  图 1  不同样品的XRD图

  Figure 1  XRD patterns of different samples

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  图 2  U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄的(a) XPS全谱图及(b~f) 高分辨XPS谱图

  Figure 2  (a) XPS survey spectrum and (b-f) high-resolution XPS spectra of U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄

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  图 3  Ag₃PO₄ (a)、g-C₃N₄ (b)、M-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ (c)、U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ (d)的SEM图

  Figure 3  SEM images of Ag₃PO₄ (a), g-C₃N₄ (b), M-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ (c), and U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ (d)

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  图 4  不同样品的紫外可见漫反射光谱(a)和估算禁带宽度值(b)

  Figure 4  UV-Vis diffuse reflectance spectra (a) and estimated band gap values (b) of different samples

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  图 5  不同样品的荧光光谱(a)和可见光照射下光电流响应曲线(b)

  Figure 5  Photoluminescence spectra (a) and photocurrent response curves under visible light irradiation (b) of different samples

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  图 6  不同样品对TC的降解曲线(a)和反应动力学拟合曲线(b); Ag₃PO₄和U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄的循环降解实验(c) 和5次循环后的XRD图(d)

  Figure 6  Degradation curves (a) and reaction kinetic plots (b) of photocatalytic degradation of TC by different samples; Recycle experiments (c) and XRD patterns after five cycles (d) of Ag₃PO₄ and U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄

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  图 7  不同捕获剂对U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合催化剂光降解TC的影响

  Figure 7  Effect of different trapping agents on the degradation of TC by U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄

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  图 8  U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄复合光催化剂降解机理示意图

  Figure 8  Schematic diagram of degradation mechanism of U-g-C₃N₄/Ag₃PO₄ composite photocatalyst

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