纳米TiO2修饰碳糊电极伏安法测量痕量铟

李俊华 ,  张复兴 ,  王剑秋 ,  曾荣英 ,  邓培红 ,  彭运林 ,  陈晓东

引用本文: 李俊华, 张复兴, 王剑秋, 曾荣英, 邓培红, 彭运林, 陈晓东. 纳米TiO2修饰碳糊电极伏安法测量痕量铟[J]. 应用化学, 2008, 25(6): 718-721. shu
Citation:  LI Jun-Hua, ZHANG Fu-Xing, WANG Jian-Qiu, ZENG Rong-Ying, DENG Pei-Hong, PENG Yun-Lin, CHEN Xiao-Dong. Voltammetric Determination of Trace Indium by Using Nano-TiO2 Modified Carbon Paste Electrode[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 2008, 25(6): 718-721. shu

纳米TiO2修饰碳糊电极伏安法测量痕量铟

    通讯作者: 李俊华,男,硕士,讲师;E-mail:junhua325@yahoo.com.cn;研究方向:材料能源电化学
  • 基金项目:

    衡阳师范学院科研启动基金(2006B32)资助项目 (2006B32)

摘要: 采用溶胶-凝胶法制备了纳米TiO2粉末,成功地将其修饰在碳糊电极上,用阳极溶出伏安法考察了修饰电极测量痕量铟的优化条件及其电化学稳定性。结果表明,在pH=5.4的HAc-NaAc缓冲液中,当In3+在纳米TiO2修饰碳糊电极表面富集时间为200 s,电位扫描速率控制为200 mV/s时,修饰电极在伏安图上能出现1个灵敏的氧化峰,峰电位为-0.832 V,利用该峰可以进行痕量铟的检测;峰电流与In3+浓度在1.0×10-11~1.0×10-9 mol/L的范围内成良好线关系,相关系数为0.995,检出限为0.125×10-11 mol/L;修饰电极稳定性较好,用于实际水样中铟含量的测定,平均回收率为96.16%,结果令人满意。同时循环伏安和交流阻抗实验表明,铟在修饰电极上电化学氧化为不可逆过程,受电荷传质和扩散过程混合控制;该电极过程的平均活化能为72.36 kJ/mol。

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  • 收稿日期:  2007-07-15
  • 网络出版日期:  2007-10-30
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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