注册 English

金属-分子-金属结器件研究进展

李建昌 ,  吴隽稚 ,  周成 ,  宫兴

downloadPDF
引用本文: 李建昌, 吴隽稚, 周成, 宫兴. 金属-分子-金属结器件研究进展[J]. 物理化学学报, 2013, 29(06): 1123-1144. doi: 10.3866/PKU.WHXB201304014 shu
Citation:  LI Jian-Chang, WU Jun-Zhi, ZHOU Cheng, NG Xing. Latest Studies on Metal-Molecule-Metal Junctions[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2013, 29(06): 1123-1144. doi: 10.3866/PKU.WHXB201304014 shu

金属-分子-金属结器件研究进展

  • 基金项目:

    中央高校基本科研业务费专项资金(N110403001)资助项目 (N110403001)

摘要:

有机功能分子是新型纳光电器件研究热门材料之一, 多用金属-分子-金属结方法研究其荷电输运特性.本文从无损制备、微纳尺度及可寻址性等方面, 综述了金属-分子-金属结器件研究进展. 将制备方法归为软接触法、扫描探针显微镜法、对电极法、交叉线法、角沉积法和纳米孔法等六大类, 并分析了不同方法及实验参数对荷电输运特性的影响. 总的来说, 扫描探针法可用于分子电学特性的快速统计分析, 但可寻址性差; 纳米孔分子结具有良好的可寻址性, 可用于分子输运特性的变温研究, 但上电极沉积可导致分子层破坏或界面特性不确定; 角度沉积法和软接触法可有效减少电极热沉积对分子层的烧蚀, 但器件尺度较大; 对电极法可获得纳米级可寻址分子结, 若结合模板压印交叉纳米线法制备电极, 则在无损分子器件研究及其集成方面有很好的前景.

English

    1. [1]

      (1) Thompson, S. E.; Parthasarathy, S. Mater. Today 2006, 9, 20.

      (1) Thompson, S. E.; Parthasarathy, S. Mater. Today 2006, 9, 20.

    2. [2]

      (2) Boussaad, S.; Tao, N. J. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2398. doi: 10.1063/1.1465128(2) Boussaad, S.; Tao, N. J. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2398. doi: 10.1063/1.1465128

    3. [3]

      (3) Slowinski, K.; Majda, M. J. Electroanal. Chem. 2000, 491,139. doi: 10.1016/S0022-0728(00)00305-3(3) Slowinski, K.; Majda, M. J. Electroanal. Chem. 2000, 491,139. doi: 10.1016/S0022-0728(00)00305-3

    4. [4]

      (4) Li, J. C.; Blackstock, S. C.; Szulczewski, G. J. J. Phys. Chem. B 2006, 10, 17493.(4) Li, J. C.; Blackstock, S. C.; Szulczewski, G. J. J. Phys. Chem. B 2006, 10, 17493.

    5. [5]

      (5) Vilan, A.; Cahen, D. Adv. Funct. Mater. 2002, 11-12, 795.(5) Vilan, A.; Cahen, D. Adv. Funct. Mater. 2002, 11-12, 795.

    6. [6]

      (6) Liu, Y. H.; Fan, X. L.; Yang, D. L.;Wang, C.;Wan, L. J.; Bai,C. L. Chem. Phys. Lett. 2003, 380, 767. doi: 10.1016/j.cplett.2003.09.080(6) Liu, Y. H.; Fan, X. L.; Yang, D. L.;Wang, C.;Wan, L. J.; Bai,C. L. Chem. Phys. Lett. 2003, 380, 767. doi: 10.1016/j.cplett.2003.09.080

    7. [7]

      (7) Ruppel, L.; Birkner, A.;Witte, G.; Busse, C.; Lindner, T.;Paasch, G.;Wöll, C. J. Appl. Phys. 2007, 102, 033708. doi: 10.1063/1.2764027(7) Ruppel, L.; Birkner, A.;Witte, G.; Busse, C.; Lindner, T.;Paasch, G.;Wöll, C. J. Appl. Phys. 2007, 102, 033708. doi: 10.1063/1.2764027

    8. [8]

      (8) Jung, T. A.; Gimzewski, S. J. K.; Tang, H.; Joachim, C.Science 1996, 271, 181. doi: 10.1126/science.271.5246.181(8) Jung, T. A.; Gimzewski, S. J. K.; Tang, H.; Joachim, C.Science 1996, 271, 181. doi: 10.1126/science.271.5246.181

    9. [9]

      (9) Choi, S. H.; Kim, B. S.; Frisbie, C. D. Science 2008, 320,1482. doi: 10.1126/science.1156538(9) Choi, S. H.; Kim, B. S.; Frisbie, C. D. Science 2008, 320,1482. doi: 10.1126/science.1156538

    10. [10]

      (10) Cui, X. D.; Primak, A.; Zarate, X.; Tomfohr, J.; Sankey, O. F.;Moore, A. L.; Moore, T. A.; Gust, D.; Nagahara, L. A.;Lindsay, S. M. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 8609.(10) Cui, X. D.; Primak, A.; Zarate, X.; Tomfohr, J.; Sankey, O. F.;Moore, A. L.; Moore, T. A.; Gust, D.; Nagahara, L. A.;Lindsay, S. M. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 8609.

    11. [11]

      (11) Zhou, J. F.; Chen, F.; Xu, B. Q. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131,10439. doi: 10.1021/ja900989a(11) Zhou, J. F.; Chen, F.; Xu, B. Q. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131,10439. doi: 10.1021/ja900989a

    12. [12]

      (12) Park, H.; Lim, A. K. L.; Alivisatos, A. P.; Park, J.; McEuen, P.L. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 301. doi: 10.1063/1.124354(12) Park, H.; Lim, A. K. L.; Alivisatos, A. P.; Park, J.; McEuen, P.L. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 301. doi: 10.1063/1.124354

    13. [13]

      (13) Lortscher, E.;Weber, H. B.; Riel, H. Phys. Rev. Lett. 2007, 98,176807. doi: 10.1103/PhysRevLett.98.176807(13) Lortscher, E.;Weber, H. B.; Riel, H. Phys. Rev. Lett. 2007, 98,176807. doi: 10.1103/PhysRevLett.98.176807

    14. [14]

      (14) Li, C. Z.; He, H. X.; Tao, N. J. Appl. Phys. Lett. 2000, 77,3995. doi: 10.1063/1.1332406(14) Li, C. Z.; He, H. X.; Tao, N. J. Appl. Phys. Lett. 2000, 77,3995. doi: 10.1063/1.1332406

    15. [15]

      (15) Mbindyo, J. K. N.; Mallouk, T. E.; Mattzela, J. B.;Kratochvilova, I.; Razavi, B.; Jackson, T. N.; Mayer, T. S.J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 4020. doi: 10.1021/ja016696t(15) Mbindyo, J. K. N.; Mallouk, T. E.; Mattzela, J. B.;Kratochvilova, I.; Razavi, B.; Jackson, T. N.; Mayer, T. S.J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 4020. doi: 10.1021/ja016696t

    16. [16]

      (16) Qin, L.; Park, S.; Huang, L.; Mirkin, C. A. Science 2005, 309,113. doi: 10.1126/science.1112666(16) Qin, L.; Park, S.; Huang, L.; Mirkin, C. A. Science 2005, 309,113. doi: 10.1126/science.1112666

    17. [17]

      (17) Amlani, I.; Rawlett, A. M.; Nagahara, L. A.; Tsui, R. K. J. Vac. Sci. Technol. B 2002, 20, 2802. doi: 10.1116/1.1523025(17) Amlani, I.; Rawlett, A. M.; Nagahara, L. A.; Tsui, R. K. J. Vac. Sci. Technol. B 2002, 20, 2802. doi: 10.1116/1.1523025

    18. [18]

      (18) Blum, A. S.; Kushmerick, J. G.; Pollack, S. K.; Yang, J. C.;Moore, M.; Naciri, J.; Shashidhar, R.; Ratna, B. R. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 18124. doi: 10.1021/jp0480854(18) Blum, A. S.; Kushmerick, J. G.; Pollack, S. K.; Yang, J. C.;Moore, M.; Naciri, J.; Shashidhar, R.; Ratna, B. R. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 18124. doi: 10.1021/jp0480854

    19. [19]

      (19) Katsia, E.; Tallarida, G.; Kutrzeba-Kotowska, B.; Ferrari, S.;Bundgaard, E.; Søndergaard, R.; Krebs, F. C. Org. Electron.2008, 9, 1044. doi: 10.1016/j.orgel.2008.08.010(19) Katsia, E.; Tallarida, G.; Kutrzeba-Kotowska, B.; Ferrari, S.;Bundgaard, E.; Søndergaard, R.; Krebs, F. C. Org. Electron.2008, 9, 1044. doi: 10.1016/j.orgel.2008.08.010

    20. [20]

      (20) Li, J. C. Chem. Phys. Lett. 2009, 473, 189. doi: 10.1016/j.cplett.2009.03.044(20) Li, J. C. Chem. Phys. Lett. 2009, 473, 189. doi: 10.1016/j.cplett.2009.03.044

    21. [21]

      (21) Austin, M. D.; Chou, S. Y. Nano Lett. 2003, 3, 1687. doi: 10.1021/nl034831p(21) Austin, M. D.; Chou, S. Y. Nano Lett. 2003, 3, 1687. doi: 10.1021/nl034831p

    22. [22]

      (22) Nijhuis, C. A.; Reus,W. F.; Barber, J. R.; Dickey, M. D.;Whitesides, G. M. Nano Lett. 2010, 10, 3611. doi: 10.1021/nl101918m(22) Nijhuis, C. A.; Reus,W. F.; Barber, J. R.; Dickey, M. D.;Whitesides, G. M. Nano Lett. 2010, 10, 3611. doi: 10.1021/nl101918m

    23. [23]

      (23) Bonifas, A. P.; McCreery, R. L. Nat. Nanotechnol. 2010, 115,612.(23) Bonifas, A. P.; McCreery, R. L. Nat. Nanotechnol. 2010, 115,612.

    24. [24]

      (24) Shamai, T.; Ophir, A.; Selzer, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 91,102108. doi: 10.1063/1.2780057(24) Shamai, T.; Ophir, A.; Selzer, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 91,102108. doi: 10.1063/1.2780057

    25. [25]

      (25) Zhitenev, N. B.; Meng, H.; Bao, Z. Phys. Rev. Lett. 2002, 88,226801. doi: 10.1103/PhysRevLett.88.226801(25) Zhitenev, N. B.; Meng, H.; Bao, Z. Phys. Rev. Lett. 2002, 88,226801. doi: 10.1103/PhysRevLett.88.226801

    26. [26]

      (26) Zhou, C.; Deshpande, M. R.; Reed, M. A.; Jones, L.; Tour, J.M. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 611. doi: 10.1063/1.120195(26) Zhou, C.; Deshpande, M. R.; Reed, M. A.; Jones, L.; Tour, J.M. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 611. doi: 10.1063/1.120195

    27. [27]

      (27) Martin, Z. L.; Majumdar, N.; Cabral, M. J.; Gergel-Hackettn,N.; Camacho-Alanis, F.; Swami, N.; Bean, J. C.; Lloyd, R. H.;Yao, Y.; Tour, J. M.; Long, D.; Shashidhar, R. IEEE Trans. Nanotechnol. 2009, 8, 574. doi: 10.1109/TNANO.2009.2021161(27) Martin, Z. L.; Majumdar, N.; Cabral, M. J.; Gergel-Hackettn,N.; Camacho-Alanis, F.; Swami, N.; Bean, J. C.; Lloyd, R. H.;Yao, Y.; Tour, J. M.; Long, D.; Shashidhar, R. IEEE Trans. Nanotechnol. 2009, 8, 574. doi: 10.1109/TNANO.2009.2021161

    28. [28]

      (28) Kim, T.W.;Wang, G.; Lee, H.; Lee, T. Nanotechnology 2007,18, 315204. doi: 10.1088/0957-4484/18/31/315204(28) Kim, T.W.;Wang, G.; Lee, H.; Lee, T. Nanotechnology 2007,18, 315204. doi: 10.1088/0957-4484/18/31/315204

    29. [29]

      (29) He, J. L.; Chen, B.; Flatt, A. K.; Stephenson, J. J.; Doyle, C.D.; Tour, J. S. Nat. Mater. 2006, 5, 61.(29) He, J. L.; Chen, B.; Flatt, A. K.; Stephenson, J. J.; Doyle, C.D.; Tour, J. S. Nat. Mater. 2006, 5, 61.

    30. [30]

      (30) Martin, C. A.; Ding, D. P.; van der Zant, H. S. J.; vanRuitenbeek, J. M. New J. Phys. 2008, 10, 065008. doi: 10.1088/1367-2630/10/6/065008(30) Martin, C. A.; Ding, D. P.; van der Zant, H. S. J.; vanRuitenbeek, J. M. New J. Phys. 2008, 10, 065008. doi: 10.1088/1367-2630/10/6/065008

    31. [31]

      (31) Kervennic, Y. V.; Vanmaekelbergh, D.; Kouwenhoven, L. P.;van der Zant, H. S. J. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3782. doi: 10.1063/1.1623317(31) Kervennic, Y. V.; Vanmaekelbergh, D.; Kouwenhoven, L. P.;van der Zant, H. S. J. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3782. doi: 10.1063/1.1623317

    32. [32]

      (32) Yoon, H. P.; Maitani, M. M.; Cabarcos, O. M.; Cai, L.; Mayer,T. S.; Allara, D. L. Nano Lett. 2010, 10, 2897. doi: 10.1021/nl100982q(32) Yoon, H. P.; Maitani, M. M.; Cabarcos, O. M.; Cai, L.; Mayer,T. S.; Allara, D. L. Nano Lett. 2010, 10, 2897. doi: 10.1021/nl100982q

    33. [33]

      (33) Majumdar, N.; Gergel, N.; Routenberg, D.; Bean, J. C.;Harriott, L. R.; Li, B.; Pu, L.; Yao, Y.; Tour, J. M. J. Vac. Sci. Technol. B 2005, 23, 1417. doi: 10.1116/1.1935528(33) Majumdar, N.; Gergel, N.; Routenberg, D.; Bean, J. C.;Harriott, L. R.; Li, B.; Pu, L.; Yao, Y.; Tour, J. M. J. Vac. Sci. Technol. B 2005, 23, 1417. doi: 10.1116/1.1935528

    34. [34]

      (34) Slowinki, K.; Fong, H. K. Y.; Majda, M. J. Am. Chem. Soc.1999, 121, 7257. doi: 10.1021/ja991613i(34) Slowinki, K.; Fong, H. K. Y.; Majda, M. J. Am. Chem. Soc.1999, 121, 7257. doi: 10.1021/ja991613i

    35. [35]

      (35) Selzer, Y.; Salomon, A.; Cahen, D. J. Am. Chem. Soc. 2002,124, 2886. doi: 10.1021/ja0177511(35) Selzer, Y.; Salomon, A.; Cahen, D. J. Am. Chem. Soc. 2002,124, 2886. doi: 10.1021/ja0177511

    36. [36]

      (36) Selzer, Y.; Cahen, D. Adv. Mater. 2001, 13, 508.(36) Selzer, Y.; Cahen, D. Adv. Mater. 2001, 13, 508.

    37. [37]

      (37) Itoh, E.; Iwamoto, M. J. Appl. Phys. 1999, 85, 7239. doi: 10.1063/1.370538(37) Itoh, E.; Iwamoto, M. J. Appl. Phys. 1999, 85, 7239. doi: 10.1063/1.370538

    38. [38]

      (38) Selzer, Y.; Salomon, A.; Cahen, D. J. Phys. Chem. B 2002,106, 10432. doi: 10.1021/jp026324m(38) Selzer, Y.; Salomon, A.; Cahen, D. J. Phys. Chem. B 2002,106, 10432. doi: 10.1021/jp026324m

    39. [39]

      (39) Galperin, M.; Nitzan, A.; Sek, S.; Majda, M. J. Electroanal. Chem. 2003, 550-551, 337.(39) Galperin, M.; Nitzan, A.; Sek, S.; Majda, M. J. Electroanal. Chem. 2003, 550-551, 337.

    40. [40]

      (40) Race, H. H.; Reynolds, S. I. J. Am. Chem. Soc. 1939, 61, 1425.doi: 10.1021/ja01875a030(40) Race, H. H.; Reynolds, S. I. J. Am. Chem. Soc. 1939, 61, 1425.doi: 10.1021/ja01875a030

    41. [41]

      (41) vonWrochem, F.; Gao, D. Q.; Scholz, F.; Nothofer, H. G.;Nelles, G.;Wessels, J. M. Nat. Nanotechnol. 2010, 119, 618.(41) vonWrochem, F.; Gao, D. Q.; Scholz, F.; Nothofer, H. G.;Nelles, G.;Wessels, J. M. Nat. Nanotechnol. 2010, 119, 618.

    42. [42]

      (42) Tran, E.; Duati, M.; Ferri, V.; Müllen, K.; Zharnikov, M.;Whitesides, G. M.; Rampi, M. A. Adv. Mater. 2006, 18, 1323.(42) Tran, E.; Duati, M.; Ferri, V.; Müllen, K.; Zharnikov, M.;Whitesides, G. M.; Rampi, M. A. Adv. Mater. 2006, 18, 1323.

    43. [43]

      (43) Tran, E.; Cohen, A. E.; Murray, R.W.; Rampi, M. A.;Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 2141. doi: 10.1021/ja804075y(43) Tran, E.; Cohen, A. E.; Murray, R.W.; Rampi, M. A.;Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 2141. doi: 10.1021/ja804075y

    44. [44]

      (44) Haag, R.; Rampi, M. A.; Holmlin, R. E.; George, M.W. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 7895. doi: 10.1021/ja990230h(44) Haag, R.; Rampi, M. A.; Holmlin, R. E.; George, M.W. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 7895. doi: 10.1021/ja990230h

    45. [45]

      (45) Vilan, A.; Ghabboun, J.; Cahen, D. J. Phys. Chem. B 2003,107, 6360.(45) Vilan, A.; Ghabboun, J.; Cahen, D. J. Phys. Chem. B 2003,107, 6360.

    46. [46]

      (46) Moons, E.; Bruening, M.; Shanzer, A.; Beier, J.; Cahen, D.Synth. Met. 1996, 76, 245. doi: 10.1016/0379-6779(95)03463-T(46) Moons, E.; Bruening, M.; Shanzer, A.; Beier, J.; Cahen, D.Synth. Met. 1996, 76, 245. doi: 10.1016/0379-6779(95)03463-T

    47. [47]

      (47) Wu, D. G.; Ghabboun, J.; Martin, J. M. L.; Cahen, D. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 12011. doi: 10.1021/jp012708l(47) Wu, D. G.; Ghabboun, J.; Martin, J. M. L.; Cahen, D. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 12011. doi: 10.1021/jp012708l

    48. [48]

      (48) Shimizu, K. T.; Fabbri, J. D.; Jelincic, J. J.; Melosh, N. A. Adv. Mater. 2006, 18, 1499.(48) Shimizu, K. T.; Fabbri, J. D.; Jelincic, J. J.; Melosh, N. A. Adv. Mater. 2006, 18, 1499.

    49. [49]

      (49) Mohamed Ikram, I.; Rabinal, M. K.; Kalasad, M. N.;Mulimani, B. G. Langmuir 2009, 25, 3305. doi: 10.1021/la8035488(49) Mohamed Ikram, I.; Rabinal, M. K.; Kalasad, M. N.;Mulimani, B. G. Langmuir 2009, 25, 3305. doi: 10.1021/la8035488

    50. [50]

      (50) Fan, X. L.;Wang, C.; Yang, D. L .;Wan, L. J.; Bai, C. L.Chem. Phys. Lett. 2002, 361, 465. doi: 10.1016/S0009-2614(02)00983-1(50) Fan, X. L.;Wang, C.; Yang, D. L .;Wan, L. J.; Bai, C. L.Chem. Phys. Lett. 2002, 361, 465. doi: 10.1016/S0009-2614(02)00983-1

    51. [51]

      (51) Liu, Y. H.; Fan, X. L.; Yang, D. L.;Wang, C.;Wan, L. J.; Bai,C. L. Langmuir 2004, 20, 855. doi: 10.1021/la0353529(51) Liu, Y. H.; Fan, X. L.; Yang, D. L.;Wang, C.;Wan, L. J.; Bai,C. L. Langmuir 2004, 20, 855. doi: 10.1021/la0353529

    52. [52]

      (52) Dhirani, A.; Lin, P. H.; Guyot-Sionnest, P.; Zehner, R.W.; Sita,L. R. J. Chem. Phys. 1997, 106, 5249. doi: 10.1063/1.473523(52) Dhirani, A.; Lin, P. H.; Guyot-Sionnest, P.; Zehner, R.W.; Sita,L. R. J. Chem. Phys. 1997, 106, 5249. doi: 10.1063/1.473523

    53. [53]

      (53) Kelley, T.W.; Granstrom, E. L.; Frisbie, C. D. Adv. Mater.1999, 11, 261.(53) Kelley, T.W.; Granstrom, E. L.; Frisbie, C. D. Adv. Mater.1999, 11, 261.

    54. [54]

      (54) Jackel, F.;Watson, M. D.; Mullen, K.; Rabe, J. P. Phys. Rev. Lett. 2002, 92, 188303.(54) Jackel, F.;Watson, M. D.; Mullen, K.; Rabe, J. P. Phys. Rev. Lett. 2002, 92, 188303.

    55. [55]

      (55) Wold, D. J.; Frisbie, D. F. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5549.doi: 10.1021/ja0101532(55) Wold, D. J.; Frisbie, D. F. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5549.doi: 10.1021/ja0101532

    56. [56]

      (56) Reuter, M. G.; Sukharev, M.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett.2008, 101, 208303. doi: 10.1103/PhysRevLett.101.208303(56) Reuter, M. G.; Sukharev, M.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett.2008, 101, 208303. doi: 10.1103/PhysRevLett.101.208303

    57. [57]

      (57) He, H. X.; Li, C. Z.; Tao, N. J. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 811.doi: 10.1063/1.1335551(57) He, H. X.; Li, C. Z.; Tao, N. J. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 811.doi: 10.1063/1.1335551

    58. [58]

      (58) Mativetsky, J. M.; Pace, G.; Elbing, M., Rampi, M. A.; Mayor,M.; Samor, P. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 9192. doi: 10.1021/ja8018093(58) Mativetsky, J. M.; Pace, G.; Elbing, M., Rampi, M. A.; Mayor,M.; Samor, P. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 9192. doi: 10.1021/ja8018093

    59. [59]

      (59) Kamenetska, M.; Koentopp, M.; Whalley, A. C.; Park, Y. S.;Steigerwald, M. L.; Nuckolls, C.; Hybertsen, M. S.;Venkataraman, L. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 126803. doi: 10.1103/PhysRevLett.102.126803(59) Kamenetska, M.; Koentopp, M.; Whalley, A. C.; Park, Y. S.;Steigerwald, M. L.; Nuckolls, C.; Hybertsen, M. S.;Venkataraman, L. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 126803. doi: 10.1103/PhysRevLett.102.126803

    60. [60]

      (60) Xia, J. L.; Diez-Perez, I.; Tao, N. J. Nano Lett. 2008, 8, 1960.doi: 10.1021/nl080857a(60) Xia, J. L.; Diez-Perez, I.; Tao, N. J. Nano Lett. 2008, 8, 1960.doi: 10.1021/nl080857a

    61. [61]

      (61) Weibel, N.; B?aszczyk, A.; von Hänisch, C.; Mayor, M.;Pobelov, I.;Wandlowski, T.; Chen, F.; Tao, N. J. Eur. J. Org. Chem. 2008, 136.(61) Weibel, N.; B?aszczyk, A.; von Hänisch, C.; Mayor, M.;Pobelov, I.;Wandlowski, T.; Chen, F.; Tao, N. J. Eur. J. Org. Chem. 2008, 136.

    62. [62]

      (62) Hihath, J.; Chen, F.; Zhang, P.; Tao, N. J. J. Phys. Condes. Matter. 2007, 202, 215202.(62) Hihath, J.; Chen, F.; Zhang, P.; Tao, N. J. J. Phys. Condes. Matter. 2007, 202, 215202.

    63. [63]

      (63) Li, X. L.; Hihath, J.; Chen, F.; Masuda, T.; Zang, L.; Tao, N. J.J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 11535. doi: 10.1021/ja072990v(63) Li, X. L.; Hihath, J.; Chen, F.; Masuda, T.; Zang, L.; Tao, N. J.J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 11535. doi: 10.1021/ja072990v

    64. [64]

      (64) Fatemi, V.; Kamenetska, M.; Neaton, J. B.; Venkataraman, L.Nano Lett. 2011, 11, 1988. doi: 10.1021/nl200324e(64) Fatemi, V.; Kamenetska, M.; Neaton, J. B.; Venkataraman, L.Nano Lett. 2011, 11, 1988. doi: 10.1021/nl200324e

    65. [65]

      (65) Zhou, J. F.; Chen, G. J.; Xu, B. Q. J. Phys. Chem. C 2010, 114,8587. doi: 10.1021/jp101257y(65) Zhou, J. F.; Chen, G. J.; Xu, B. Q. J. Phys. Chem. C 2010, 114,8587. doi: 10.1021/jp101257y

    66. [66]

      (66) Dulic, D.; van der Molen, S. J.; Kudernac, T.; Jonkman, H. T.;de Jong, J. J. D.; Bowden, T. N.; van Esch, J.; Feringa, B. L.;vanWees, B. J. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 207402. doi: 10.1103/PhysRevLett.91.207402(66) Dulic, D.; van der Molen, S. J.; Kudernac, T.; Jonkman, H. T.;de Jong, J. J. D.; Bowden, T. N.; van Esch, J.; Feringa, B. L.;vanWees, B. J. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 207402. doi: 10.1103/PhysRevLett.91.207402

    67. [67]

      (67) Marquardt, C.W.; Grunder, S.; B?aszczyk, A.; Dehm, S.;Hennrich, F.; Lohneysen, H. v.; Mayor, M.; Krupke, R. Nat. Nanotechnol. 2010, 230, 1.(67) Marquardt, C.W.; Grunder, S.; B?aszczyk, A.; Dehm, S.;Hennrich, F.; Lohneysen, H. v.; Mayor, M.; Krupke, R. Nat. Nanotechnol. 2010, 230, 1.

    68. [68]

      (68) Hu,W. P.; Jiang, J.; Nakashima, H.; Luo, Y.; Kashimura, Y.;Chen, K. Q.; Shuai, Z.; Furukawa, K.; Lu,W.; Liu, Y. Q.; Zhu,D. B.; Torimitsu, T. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 027801. doi: 10.1103/PhysRevLett.96.027801(68) Hu,W. P.; Jiang, J.; Nakashima, H.; Luo, Y.; Kashimura, Y.;Chen, K. Q.; Shuai, Z.; Furukawa, K.; Lu,W.; Liu, Y. Q.; Zhu,D. B.; Torimitsu, T. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 027801. doi: 10.1103/PhysRevLett.96.027801

    69. [69]

      (69) Moreland, J.; Ekin, J.W. J. Appl. Phys. 1998, 58, 3888.(69) Moreland, J.; Ekin, J.W. J. Appl. Phys. 1998, 58, 3888.

    70. [70]

      (70) Muller, C. J.; Vleeming, B.; Reed, M. A.; Lambaz, J. J. S.;Haraz, R.; Jones, L.; Tour, J. M. Nanotechnology 1996, 7, 409.doi: 10.1088/0957-4484/7/4/019(70) Muller, C. J.; Vleeming, B.; Reed, M. A.; Lambaz, J. J. S.;Haraz, R.; Jones, L.; Tour, J. M. Nanotechnology 1996, 7, 409.doi: 10.1088/0957-4484/7/4/019

    71. [71]

      (71) Reed, M. A.; Zhou, C.; Muller, C. J.; Burgin, T. P.; Tour, J. M.Science 1997, 278, 252. doi: 10.1126/science.278.5336.252(71) Reed, M. A.; Zhou, C.; Muller, C. J.; Burgin, T. P.; Tour, J. M.Science 1997, 278, 252. doi: 10.1126/science.278.5336.252

    72. [72]

      (72) Smit, R. H. M.; Noat, Y.; Untiedt, C.; Lang, N. D.; vanHemert, M. C.; van Ruitenbeek, J. M. Nature 2002, 419, 906.doi: 10.1038/nature01103(72) Smit, R. H. M.; Noat, Y.; Untiedt, C.; Lang, N. D.; vanHemert, M. C.; van Ruitenbeek, J. M. Nature 2002, 419, 906.doi: 10.1038/nature01103

    73. [73]

      (73) van Ruitenbeek, J. M.; Alvarez, A.; Pineyro, I.; Grahmann, C.;Joyez, P.; Devoret, M. H.; Esteve, D.; Urbina, C. Rev. Sci. Instrum. 1995, 67, 108.(73) van Ruitenbeek, J. M.; Alvarez, A.; Pineyro, I.; Grahmann, C.;Joyez, P.; Devoret, M. H.; Esteve, D.; Urbina, C. Rev. Sci. Instrum. 1995, 67, 108.

    74. [74]

      (74) Wu, S. M.; nzalez, M. T.; Huber, R.; Grunder, S.; Mayor,M.; Shonenberger, C.; Calame, M. Nat. Nanotechnol. 2008,237, 569.(74) Wu, S. M.; nzalez, M. T.; Huber, R.; Grunder, S.; Mayor,M.; Shonenberger, C.; Calame, M. Nat. Nanotechnol. 2008,237, 569.

    75. [75]

      (75) Kiguchi, M.; Murakoshi, K. Thin Solid Films 2009, 518, 466.doi: 10.1016/j.tsf.2009.07.024(75) Kiguchi, M.; Murakoshi, K. Thin Solid Films 2009, 518, 466.doi: 10.1016/j.tsf.2009.07.024

    76. [76]

      (76) Kiguchi, M.; Tal, O.;Wohlthat, S.; Pauly, F.; Krieger, M.;Djukic, D.; Cuevas, J. C.; van Ruitenbeek, J. M. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 046801. doi: 10.1103/PhysRevLett.101.046801(76) Kiguchi, M.; Tal, O.;Wohlthat, S.; Pauly, F.; Krieger, M.;Djukic, D.; Cuevas, J. C.; van Ruitenbeek, J. M. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 046801. doi: 10.1103/PhysRevLett.101.046801

    77. [77]

      (77) Dolan, G. J. Appl. Phys. Lett. 1977, 31, 337. doi: 10.1063/1.89690(77) Dolan, G. J. Appl. Phys. Lett. 1977, 31, 337. doi: 10.1063/1.89690

    78. [78]

      (78) Durkan, C.;Welland, M. E. Ultramicroscopy 2008, 82, 125.(78) Durkan, C.;Welland, M. E. Ultramicroscopy 2008, 82, 125.

    79. [79]

      (79) Hadeed, F. O.; Durkan, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 123120.doi: 10.1063/1.2785982(79) Hadeed, F. O.; Durkan, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 123120.doi: 10.1063/1.2785982

    80. [80]

      (80) Demarchi, D.; Civera, P.; Piccinini, G.; Cocuzza, M.; Perrone,D. Electrochim. Acta 2009, 54, 6003. doi: 10.1016/j.electacta.2009.02.070(80) Demarchi, D.; Civera, P.; Piccinini, G.; Cocuzza, M.; Perrone,D. Electrochim. Acta 2009, 54, 6003. doi: 10.1016/j.electacta.2009.02.070

    81. [81]

      (81) Asghar,W.; Ramachandran, P. P.; Adewumi, A.; Noor, M. R.;Iqba, S. M. J. Manuf. Sci. Eng.-Trans. ASME 2010, 132,030911. doi: 10.1115/1.4001664(81) Asghar,W.; Ramachandran, P. P.; Adewumi, A.; Noor, M. R.;Iqba, S. M. J. Manuf. Sci. Eng.-Trans. ASME 2010, 132,030911. doi: 10.1115/1.4001664

    82. [82]

      (82) Khondaker, S. I.; Yao, Z.; Cheng, L.; Henderson, J. C.; Yao, Y.X.; Tour, J. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 645. doi: 10.1063/1.1773915(82) Khondaker, S. I.; Yao, Z.; Cheng, L.; Henderson, J. C.; Yao, Y.X.; Tour, J. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 645. doi: 10.1063/1.1773915

    83. [83]

      (83) Trouwborst, M. L.; van Der Molen, S. J.; vanWees, B. J. J. Appl. Phys. 2006, 99, 114316. doi: 10.1063/1.2203410(83) Trouwborst, M. L.; van Der Molen, S. J.; vanWees, B. J. J. Appl. Phys. 2006, 99, 114316. doi: 10.1063/1.2203410

    84. [84]

      (84) Heersche, H. B.; de Groot, Z.; Folk, J. A.; Kouwenhoven, L.P.; van Der Zant, H. S. J.; Houck, A. A.; Labaziewicz, J.;Chuang, I. L. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 017205. doi: 10.1103/PhysRevLett.96.017205(84) Heersche, H. B.; de Groot, Z.; Folk, J. A.; Kouwenhoven, L.P.; van Der Zant, H. S. J.; Houck, A. A.; Labaziewicz, J.;Chuang, I. L. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 017205. doi: 10.1103/PhysRevLett.96.017205

    85. [85]

      (85) Taychatanapat, T.; Bolotin, T. K. I.; Kuemmeth, F.; Ralph, D.C. Nano Lett. 2007, 7, 652. doi: 10.1021/nl062631i(85) Taychatanapat, T.; Bolotin, T. K. I.; Kuemmeth, F.; Ralph, D.C. Nano Lett. 2007, 7, 652. doi: 10.1021/nl062631i

    86. [86]

      (86) Sutanto, J.; Smith, R. L.; Collins, S. D. J. Micromech. Microeng. 2010, 20, 045016. doi: 10.1088/0960-1317/20/4/045016(86) Sutanto, J.; Smith, R. L.; Collins, S. D. J. Micromech. Microeng. 2010, 20, 045016. doi: 10.1088/0960-1317/20/4/045016

    87. [87]

      (87) Cai, L. T.; Skulason, H.; Kushmerick, J. G.; Pollack, S. K.;Naciri, J.; Shashidhar, R.; Allara, D. L.; Mallouk, T. E.; Mayer,T. S. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 2827. doi: 10.1021/jp0361273(87) Cai, L. T.; Skulason, H.; Kushmerick, J. G.; Pollack, S. K.;Naciri, J.; Shashidhar, R.; Allara, D. L.; Mallouk, T. E.; Mayer,T. S. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 2827. doi: 10.1021/jp0361273

    88. [88]

      (88) Li, C. Z.; Bo zi, A.; Huang,W.; Tao, N. J. Nanotechnology1999, 10, 221. doi: 10.1088/0957-4484/10/2/320(88) Li, C. Z.; Bo zi, A.; Huang,W.; Tao, N. J. Nanotechnology1999, 10, 221. doi: 10.1088/0957-4484/10/2/320

    89. [89]

      (89) Zhou,W. J.;Wei, Z. X.; Yao, J. L.; Gu, R. A. Chem. J. Chin. Univ. 2009, 30, 178. [邹文君, 魏志祥, 姚建林, 顾仁敖. 高等学校化学学报, 2009, 30, 178.](89) Zhou,W. J.;Wei, Z. X.; Yao, J. L.; Gu, R. A. Chem. J. Chin. Univ. 2009, 30, 178. [邹文君, 魏志祥, 姚建林, 顾仁敖. 高等学校化学学报, 2009, 30, 178.]

    90. [90]

      (90) Morpur , A. F.; Marcus, C. M.; Robinson, D. B. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2084. doi: 10.1063/1.123765(90) Morpur , A. F.; Marcus, C. M.; Robinson, D. B. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2084. doi: 10.1063/1.123765

    91. [91]

      (91) Kashimura, Y.; Nakashima, H.; Furukawa, K.; Torimitsu, K.Thin Solid Films 2003, 438-439, 317.(91) Kashimura, Y.; Nakashima, H.; Furukawa, K.; Torimitsu, K.Thin Solid Films 2003, 438-439, 317.

    92. [92]

      (92) Kim, B.; Ahn, S. J.; Park, J. G.; Lee, S. H.; Park, Y.W.;Campbell, E. E. B. Thin Solid Films 2006, 499, 196. doi: 10.1016/j.tsf.2005.06.072(92) Kim, B.; Ahn, S. J.; Park, J. G.; Lee, S. H.; Park, Y.W.;Campbell, E. E. B. Thin Solid Films 2006, 499, 196. doi: 10.1016/j.tsf.2005.06.072

    93. [93]

      (93) Kim, B.; Ahn, S. J.; Park, J. G.; Lee, S. H.; Park, Y.W. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4756. doi: 10.1063/1.1821657(93) Kim, B.; Ahn, S. J.; Park, J. G.; Lee, S. H.; Park, Y.W. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4756. doi: 10.1063/1.1821657

    94. [94]

      (94) He, H. X.; Zhu, J. S.; Tao, N. J.; Nagahara, L. A.; Amlani, I.;Tsui, R. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 7730. doi: 10.1021/ja016264i(94) He, H. X.; Zhu, J. S.; Tao, N. J.; Nagahara, L. A.; Amlani, I.;Tsui, R. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 7730. doi: 10.1021/ja016264i

    95. [95]

      (95) Qu, D. Y.; Uosaki, K. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 17570. doi: 10.1021/jp0632135(95) Qu, D. Y.; Uosaki, K. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 17570. doi: 10.1021/jp0632135

    96. [96]

      (96) Garno, J. C.; Zangmeister, C. D.; Batteas, J. D. Langmuir2007, 23, 7874. doi: 10.1021/la070015b(96) Garno, J. C.; Zangmeister, C. D.; Batteas, J. D. Langmuir2007, 23, 7874. doi: 10.1021/la070015b

    97. [97]

      (97) Bechelany, M.; Brodard, P.; Elias, J.; Brioude, A.; Michler, J.;Philippe, L. Langmuir 2010, 26, 14364. doi: 10.1021/la1016356(97) Bechelany, M.; Brodard, P.; Elias, J.; Brioude, A.; Michler, J.;Philippe, L. Langmuir 2010, 26, 14364. doi: 10.1021/la1016356

    98. [98]

      (98) Zangmeister, C. D.; van Zee, R. D. Langmuir 2003, 19, 8065.doi: 10.1021/la026801s(98) Zangmeister, C. D.; van Zee, R. D. Langmuir 2003, 19, 8065.doi: 10.1021/la026801s

    99. [99]

      (99) Zhu, P. X.; Masuda, Y.; Koumoto, K. J. Mater. Chem. 2004,14, 976. doi: 10.1039/b311061c(99) Zhu, P. X.; Masuda, Y.; Koumoto, K. J. Mater. Chem. 2004,14, 976. doi: 10.1039/b311061c

    100. [100]

      (100) Garno, J. C.; Yang, Y. Y.; Amro, N. A.; Cruchon-Dupeyrat, S.;Chen, S.W.; Liu, G. Y. Nano Lett. 2003, 3, 389. doi: 10.1021/nl025934v(100) Garno, J. C.; Yang, Y. Y.; Amro, N. A.; Cruchon-Dupeyrat, S.;Chen, S.W.; Liu, G. Y. Nano Lett. 2003, 3, 389. doi: 10.1021/nl025934v

    101. [101]

      (101) Martin, B. R.; Dermody, D. J.; Reiss, B. D.; Fang, M. M.;Lyon, L. A.; Natan, M. J.; Mallouk, T. E. Adv. Mater. 1999, 11,1021.(101) Martin, B. R.; Dermody, D. J.; Reiss, B. D.; Fang, M. M.;Lyon, L. A.; Natan, M. J.; Mallouk, T. E. Adv. Mater. 1999, 11,1021.

    102. [102]

      (102) Smith, P. A.; Nordquist, C. D.; Jackson, T. N.; Mayer, T. S.;Martin, B. R.; Mbindyo, J.; Mallouk, T. E. Appl. Phys. Lett.2000, 77, 1399. doi: 10.1063/1.1290272(102) Smith, P. A.; Nordquist, C. D.; Jackson, T. N.; Mayer, T. S.;Martin, B. R.; Mbindyo, J.; Mallouk, T. E. Appl. Phys. Lett.2000, 77, 1399. doi: 10.1063/1.1290272

    103. [103]

      (103) Menon, V. P.; Martin, C. R. Anal. Chem. 1995, 67, 1920. doi: 10.1021/ac00109a003(103) Menon, V. P.; Martin, C. R. Anal. Chem. 1995, 67, 1920. doi: 10.1021/ac00109a003

    104. [104]

      (104) Cai, L. T.; Cabassi, M. A.; Yoon, H.; Cabarcos, O. M.;McGuiness, C. L.; Flatt, A. K.; Allara, D. L.; Tour, J. M.;Mayer, T. S. Nano Lett. 2005, 5, 2365. doi: 10.1021/nl051219k(104) Cai, L. T.; Cabassi, M. A.; Yoon, H.; Cabarcos, O. M.;McGuiness, C. L.; Flatt, A. K.; Allara, D. L.; Tour, J. M.;Mayer, T. S. Nano Lett. 2005, 5, 2365. doi: 10.1021/nl051219k

    105. [105]

      (105) Salem, A. K.; Chen, M.; Hayden, J.; Leong, K.W.; Searson, P.C. Nano Lett. 2004, 4, 1163. doi: 10.1021/nl049462r(105) Salem, A. K.; Chen, M.; Hayden, J.; Leong, K.W.; Searson, P.C. Nano Lett. 2004, 4, 1163. doi: 10.1021/nl049462r

    106. [106]

      (106) Chen, X. D.; Yeganeh, S.; Qin, L. D.; Li, S. Z.; Xue, C.;Braunschweig, A. B.; Schatz, G. C.; Ratner, M. A.; Mirkin, C.A. Nano Lett. 2009, 9, 3974. doi: 10.1021/nl9018726(106) Chen, X. D.; Yeganeh, S.; Qin, L. D.; Li, S. Z.; Xue, C.;Braunschweig, A. B.; Schatz, G. C.; Ratner, M. A.; Mirkin, C.A. Nano Lett. 2009, 9, 3974. doi: 10.1021/nl9018726

    107. [107]

      (107) Osberg, K. D.; Schmucker, A. L.; Senesi, A. J.; Mirkin, C. A.Nano Lett. 2011, 11, 820. doi: 10.1021/nl1041534(107) Osberg, K. D.; Schmucker, A. L.; Senesi, A. J.; Mirkin, C. A.Nano Lett. 2011, 11, 820. doi: 10.1021/nl1041534

    108. [108]

      (108) Lee, B. Y.; Heo, K.; Schmucker, A. L.; Jin, H. J.; Lim, J. K.;Kim, T.; Lee, H.; Jeon, K. S.; Suh, Y. D.; Mirkin, C. A.; Hong,S. Nano Lett. 2012, 12, 1879. doi: 10.1021/nl204259t(108) Lee, B. Y.; Heo, K.; Schmucker, A. L.; Jin, H. J.; Lim, J. K.;Kim, T.; Lee, H.; Jeon, K. S.; Suh, Y. D.; Mirkin, C. A.; Hong,S. Nano Lett. 2012, 12, 1879. doi: 10.1021/nl204259t

    109. [109]

      (109) Chen, X. D.; Jeon, Y. M.; Jang, J.W.; Qin, L. D.; Huo, F.W.;Wei,W.; Mirkin, C. A. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 8166.doi: 10.1021/ja800338w(109) Chen, X. D.; Jeon, Y. M.; Jang, J.W.; Qin, L. D.; Huo, F.W.;Wei,W.; Mirkin, C. A. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 8166.doi: 10.1021/ja800338w

    110. [110]

      (110) Klein, D. L.; McEuen, P. L.; Katari, J. E. B.; Roth, R.;Alivisatos, A. P. Appl. Phys. Lett. 1996, 68 , 2574.(110) Klein, D. L.; McEuen, P. L.; Katari, J. E. B.; Roth, R.;Alivisatos, A. P. Appl. Phys. Lett. 1996, 68 , 2574.

    111. [111]

      (111) Amlani, I.; Rawlett, A. M.; Nagahara, L. A.; Tsui, R. K. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2761. doi: 10.1063/1.1469655(111) Amlani, I.; Rawlett, A. M.; Nagahara, L. A.; Tsui, R. K. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2761. doi: 10.1063/1.1469655

    112. [112]

      (112) Choi, J.; Zhao, Y. H.; Zhang, D. Y.; Chien, S.; Lo, Y. H. Nano Lett. 2003, 3, 995. doi: 10.1021/nl034106e(112) Choi, J.; Zhao, Y. H.; Zhang, D. Y.; Chien, S.; Lo, Y. H. Nano Lett. 2003, 3, 995. doi: 10.1021/nl034106e

    113. [113]

      (113) Long, D. P.; Patterson, C. H.; Moore, M. H.; Seferos, D. S.;Bazan, G. C.; Kushmerick, J. G. Appl. Phys. Lett. 2005, 86,153105. doi: 10.1063/1.1899772(113) Long, D. P.; Patterson, C. H.; Moore, M. H.; Seferos, D. S.;Bazan, G. C.; Kushmerick, J. G. Appl. Phys. Lett. 2005, 86,153105. doi: 10.1063/1.1899772

    114. [114]

      (114) Dadosh, T.; rdin, Y.; Krahne, R.; Khivrich, I.; Mahalu, D.;Frydman, V.; Sperling, J.; Yacoby, A.; Bar-Joseph, I. Nature2005, 436, 677. doi: 10.1038/nature03898(114) Dadosh, T.; rdin, Y.; Krahne, R.; Khivrich, I.; Mahalu, D.;Frydman, V.; Sperling, J.; Yacoby, A.; Bar-Joseph, I. Nature2005, 436, 677. doi: 10.1038/nature03898

    115. [115]

      (115) Kushmerick, J. G.; Holt, D. B.; Pollack, S. K.; Ratner, M. A.;Yang, J. C.; Schull, T. L.; Naciri, J.; Moore, M. H.; Shashidhar,R. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 10654. doi: 10.1021/ja027090n(115) Kushmerick, J. G.; Holt, D. B.; Pollack, S. K.; Ratner, M. A.;Yang, J. C.; Schull, T. L.; Naciri, J.; Moore, M. H.; Shashidhar,R. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 10654. doi: 10.1021/ja027090n

    116. [116]

      (116) Kushmerick, J. G.; Naciri, J.; Yang, J. C.; Shashidhar, R. Nano Lett. 2003, 3, 897. doi: 10.1021/nl034201n(116) Kushmerick, J. G.; Naciri, J.; Yang, J. C.; Shashidhar, R. Nano Lett. 2003, 3, 897. doi: 10.1021/nl034201n

    117. [117]

      (117) Francis, T. L.; Mermer, O.; Veeraraghavan, G.;Wohlgenannt,M. New J. Phys. 2004, 6, 185. doi: 10.1088/1367-2630/6/1/185(117) Francis, T. L.; Mermer, O.; Veeraraghavan, G.;Wohlgenannt,M. New J. Phys. 2004, 6, 185. doi: 10.1088/1367-2630/6/1/185

    118. [118]

      (118) De Valladares, L. L. S.; Felix, L. L.; Dominguez, A. B.;Mitrelias, T.; Sfigakis, F.; Khondaker, S. I.; Wbarnes, C. H.;Majima, Y. Nanotechnology 2010, 21, 445304. doi: 10.1088/0957-4484/21/44/445304(118) De Valladares, L. L. S.; Felix, L. L.; Dominguez, A. B.;Mitrelias, T.; Sfigakis, F.; Khondaker, S. I.; Wbarnes, C. H.;Majima, Y. Nanotechnology 2010, 21, 445304. doi: 10.1088/0957-4484/21/44/445304

    119. [119]

      (119) Li, C.; Zhang, D. H.; Liu, X. L.; Han, S.; Tang, T.; Zhou, C.W.; Fan,W.; Koehne, J.; Han, J.; Meyyappan, M.; Rawlett, A.M.; Price, D.W.; Tour, J. M. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 645.doi: 10.1063/1.1541943(119) Li, C.; Zhang, D. H.; Liu, X. L.; Han, S.; Tang, T.; Zhou, C.W.; Fan,W.; Koehne, J.; Han, J.; Meyyappan, M.; Rawlett, A.M.; Price, D.W.; Tour, J. M. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 645.doi: 10.1063/1.1541943

    120. [120]

      (120) Chen, Y.; Ohlberg, D. A. A.; Li, X. M.; Stewart, D. R.;Williams, R. S.; Jeppesen, J. O.; Nielsen, K. A.; Stoddart, J. F.;Deirdre, L. O.; Anderson, E. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1610.doi: 10.1063/1.1559439(120) Chen, Y.; Ohlberg, D. A. A.; Li, X. M.; Stewart, D. R.;Williams, R. S.; Jeppesen, J. O.; Nielsen, K. A.; Stoddart, J. F.;Deirdre, L. O.; Anderson, E. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1610.doi: 10.1063/1.1559439

    121. [121]

      (121) Chen, Y.; Jung, G. Y.; Ohlberg, D. A. A.; Li, X. M.; Stewart, D.R.; Jeppesen, J. O.; Nielsen, K. A.; Stoddart, J. F.;Williams, R.S. Nanotechnology 2003, 14, 462. doi: 10.1088/0957-4484/14/4/311(121) Chen, Y.; Jung, G. Y.; Ohlberg, D. A. A.; Li, X. M.; Stewart, D.R.; Jeppesen, J. O.; Nielsen, K. A.; Stoddart, J. F.;Williams, R.S. Nanotechnology 2003, 14, 462. doi: 10.1088/0957-4484/14/4/311

    122. [122]

      (122) Jung, G. Y.; Ganapathiappan, S.; Ohlberg, D. A. A.; Olynick,D. L.; Chen, Y.; Tong,W. M.;Williams, R. S. Nano Lett. 2004,4, 1225. doi: 10.1021/nl049487q(122) Jung, G. Y.; Ganapathiappan, S.; Ohlberg, D. A. A.; Olynick,D. L.; Chen, Y.; Tong,W. M.;Williams, R. S. Nano Lett. 2004,4, 1225. doi: 10.1021/nl049487q

    123. [123]

      (123) Xia, Q. F.; Yang, J. J.;Wu,W.; Li, X. M.;Williams, R. S. Nano Lett. 2010, 10, 2909. doi: 10.1021/nl1017157(123) Xia, Q. F.; Yang, J. J.;Wu,W.; Li, X. M.;Williams, R. S. Nano Lett. 2010, 10, 2909. doi: 10.1021/nl1017157

    124. [124]

      (124) Li, J. C.;Wang, D.; Ba, D. C. J. Phys. Chem. C 2012, 116,10986. doi: 10.1021/jp300467c(124) Li, J. C.;Wang, D.; Ba, D. C. J. Phys. Chem. C 2012, 116,10986. doi: 10.1021/jp300467c

    125. [125]

      (125) Shen, Q.; Cao, Y.; Liu, S.; Steigerwald, M. L.; Guo, X. F. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 10807.(125) Shen, Q.; Cao, Y.; Liu, S.; Steigerwald, M. L.; Guo, X. F. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 10807.

    126. [126]

      (126) Ioffe, Z.; Shama, T.; Ophir, A.; Noy, G.; Yutsis, I.; Kfir, K.;Cheshnovsky, O.; Selzer, Y. Nat. Nanotechnol. 2008, 304, 727.(126) Ioffe, Z.; Shama, T.; Ophir, A.; Noy, G.; Yutsis, I.; Kfir, K.;Cheshnovsky, O.; Selzer, Y. Nat. Nanotechnol. 2008, 304, 727.

    127. [127]

      (127) Zhitenev, N. B.; Erbe, A.; Bao, Z. Phys. Rev. Lett. 2004, 92,186805. doi: 10.1103/PhysRevLett.92.186805(127) Zhitenev, N. B.; Erbe, A.; Bao, Z. Phys. Rev. Lett. 2004, 92,186805. doi: 10.1103/PhysRevLett.92.186805

    128. [128]

      (128) Wang,W. Y.; Lee, T.; Reed, M. A. Phys. Rev. B 2003, 68,035416. doi: 10.1103/PhysRevB.68.035416(128) Wang,W. Y.; Lee, T.; Reed, M. A. Phys. Rev. B 2003, 68,035416. doi: 10.1103/PhysRevB.68.035416

    129. [129]

      (129) Reed, M. A.; Chen, J.; Rawlett, A. M.; Price, D.W.; Tour, J. M.Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3735. doi: 10.1063/1.1377042(129) Reed, M. A.; Chen, J.; Rawlett, A. M.; Price, D.W.; Tour, J. M.Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3735. doi: 10.1063/1.1377042

    130. [130]

      (130) Chen, J.; Reed, M. A.; Rawlett, A. M.; Tour, J. M. Science1999, 286, 1550. doi: 10.1126/science.286.5444.1550(130) Chen, J.; Reed, M. A.; Rawlett, A. M.; Tour, J. M. Science1999, 286, 1550. doi: 10.1126/science.286.5444.1550

    131. [131]

      (131) Majumdar, N.; Gergel-Hackettn, N.; Bean, J. C.; Harriott, L.R.; Pattanaik, G.; Zangrai, G.; Yao, Y.; Tour, J. M. Journal of Electronic Materials 2006, 35, 140. doi: 10.1007/s11664-006-0196-8(131) Majumdar, N.; Gergel-Hackettn, N.; Bean, J. C.; Harriott, L.R.; Pattanaik, G.; Zangrai, G.; Yao, Y.; Tour, J. M. Journal of Electronic Materials 2006, 35, 140. doi: 10.1007/s11664-006-0196-8

    132. [132]

      (132) Gergel, N.; Majumdar, N.; Keyvanfar, K.; Swami, N.; Harriott,L. R.; Bean, J. C.; Gyana, P.; Giovanni, Z.; Yao, Y.; Tour, J. M.J. Vac. Sci. Technol. A 2005, 23, 880. doi: 10.1116/1.1931687(132) Gergel, N.; Majumdar, N.; Keyvanfar, K.; Swami, N.; Harriott,L. R.; Bean, J. C.; Gyana, P.; Giovanni, Z.; Yao, Y.; Tour, J. M.J. Vac. Sci. Technol. A 2005, 23, 880. doi: 10.1116/1.1931687

    133. [133]

      (133) Kalinowski, J. J. Phys. D-Appl. Phys. 1999, 32, 179.(133) Kalinowski, J. J. Phys. D-Appl. Phys. 1999, 32, 179.

    134. [134]

      (134) Hutchison, G. R.; Ratner, M. A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 16866. doi: 10.1021/ja0533996(134) Hutchison, G. R.; Ratner, M. A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 16866. doi: 10.1021/ja0533996

    135. [135]

      (135) Chen, J.; Calvet, L. C.; Reed, M. A.; Carr, D.W.; Grubisha, D.S.; Bennett, D.W. Chem. Phys. Lett. 1999, 313, 741. doi: 10.1016/S0009-2614(99)01060-X(135) Chen, J.; Calvet, L. C.; Reed, M. A.; Carr, D.W.; Grubisha, D.S.; Bennett, D.W. Chem. Phys. Lett. 1999, 313, 741. doi: 10.1016/S0009-2614(99)01060-X

    136. [136]

      (136) DiBenedetto, S. A.; Facchetti, A.; Ratner, M. A.; Marks, T. J.J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 7158. doi: 10.1021/ja9013166(136) DiBenedetto, S. A.; Facchetti, A.; Ratner, M. A.; Marks, T. J.J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 7158. doi: 10.1021/ja9013166

    137. [137]

      (137) Nijhuis, C. A.; Reus,W. F.; Barber, J. R.; Whitesides, G. M.J. Phys. Chem. C 2012, 116, 14139. doi: 10.1021/jp303072a(137) Nijhuis, C. A.; Reus,W. F.; Barber, J. R.; Whitesides, G. M.J. Phys. Chem. C 2012, 116, 14139. doi: 10.1021/jp303072a

    138. [138]

      (138) Pakoulev, A. V.; Burtman, V. J. Phys. Chem. C 2009, 113,21413.(138) Pakoulev, A. V.; Burtman, V. J. Phys. Chem. C 2009, 113,21413.

    139. [139]

      (139) Conklin, D.; Nanayakkara, S.; Park, T. H.; Lagadec, M. F.;Stecher, J. T.; Therien, M. J.; Bonnell, D. A. Nano Lett. 2012,12, 2414. doi: 10.1021/nl300400a(139) Conklin, D.; Nanayakkara, S.; Park, T. H.; Lagadec, M. F.;Stecher, J. T.; Therien, M. J.; Bonnell, D. A. Nano Lett. 2012,12, 2414. doi: 10.1021/nl300400a

    140. [140]

      (140) Lu, Q.; Yao, C.;Wang, X. H.;Wang. F. S. J. Phys. Chem. C2012, 116, 17853. doi: 10.1021/jp2119923(140) Lu, Q.; Yao, C.;Wang, X. H.;Wang. F. S. J. Phys. Chem. C2012, 116, 17853. doi: 10.1021/jp2119923

    141. [141]

      (141) Fadjie-Djomkam, A. B.; Ababou-Girard, S.; Hiremath, R.;Herrier, C.; Fabre, B.; Solal, F.; det, C. J. Appl. Phys. 2011,110, 083708. doi: 10.1063/1.3651401(141) Fadjie-Djomkam, A. B.; Ababou-Girard, S.; Hiremath, R.;Herrier, C.; Fabre, B.; Solal, F.; det, C. J. Appl. Phys. 2011,110, 083708. doi: 10.1063/1.3651401

    142. [142]

      (142) Salomon, A.; Shpaisman, H.; Seitz, O.; Boecking, T.; Cahen,D. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 3969. doi: 10.1021/jp710985b(142) Salomon, A.; Shpaisman, H.; Seitz, O.; Boecking, T.; Cahen,D. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 3969. doi: 10.1021/jp710985b

    143. [143]

      (143) Chu, C.W.; Na, J. S.; Parsons, G. N. J. Am. Chem. Soc. 2007,129, 2287. doi: 10.1021/ja064968s(143) Chu, C.W.; Na, J. S.; Parsons, G. N. J. Am. Chem. Soc. 2007,129, 2287. doi: 10.1021/ja064968s

    144. [144]

      (144) Wold, D. J.; Haag, R.; Rampi, M. A.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2813. doi: 10.1021/jp013476t(144) Wold, D. J.; Haag, R.; Rampi, M. A.; Frisbie, C. D. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2813. doi: 10.1021/jp013476t

    145. [145]

      (145) Holmlin, R. E.; Haag, R.; Chabinyc, M. L.; Ismagilov, R. F.;Cohen, A. E.; Terfort, A.; Rampi, M. A.; Whitesides, G. M.J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5075. doi: 10.1021/ja004055c(145) Holmlin, R. E.; Haag, R.; Chabinyc, M. L.; Ismagilov, R. F.;Cohen, A. E.; Terfort, A.; Rampi, M. A.; Whitesides, G. M.J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5075. doi: 10.1021/ja004055c

    146. [146]

      (146) York, R. L.; Nguyen, P. T.; Slowinski, K. J. Am. Chem. Soc.2003, 125, 5948. doi: 10.1021/ja0211353(146) York, R. L.; Nguyen, P. T.; Slowinski, K. J. Am. Chem. Soc.2003, 125, 5948. doi: 10.1021/ja0211353

    147. [147]

      (147) Slowinski, K.; Chamberlain, R. V.; Miller, C. J.; Majda, M.J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 11910. doi: 10.1021/ja971921l(147) Slowinski, K.; Chamberlain, R. V.; Miller, C. J.; Majda, M.J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 11910. doi: 10.1021/ja971921l

    148. [148]

      (148) Thuo, M. M.; Reus,W. F.; Nijhuis, C. A.; Barber, J. R.; Kim,C.; Schulz, M. D.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2011,133, 2962. doi: 10.1021/ja1090436(148) Thuo, M. M.; Reus,W. F.; Nijhuis, C. A.; Barber, J. R.; Kim,C.; Schulz, M. D.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2011,133, 2962. doi: 10.1021/ja1090436

    149. [149]

      (149) Chiechi, R. C.;Weiss, E. A.; Dickey, M. D.; Whitesides, G. M.Angew. Chem. Int. Edit. 2008, 47, 142.(149) Chiechi, R. C.;Weiss, E. A.; Dickey, M. D.; Whitesides, G. M.Angew. Chem. Int. Edit. 2008, 47, 142.

    150. [150]

      (150) Chen, F.; Li, X. L.; Hihath, J.; Huang, Z. F.; Tao, N. J. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 15874. doi: 10.1021/ja065864k(150) Chen, F.; Li, X. L.; Hihath, J.; Huang, Z. F.; Tao, N. J. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 15874. doi: 10.1021/ja065864k

    151. [151]

      (151) Li, X. L.; He, J.; Hihath, J.; Xu, B. Q.; Lindsay, S. M.; Tao, N.J. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 2135. doi: 10.1021/ja057316x(151) Li, X. L.; He, J.; Hihath, J.; Xu, B. Q.; Lindsay, S. M.; Tao, N.J. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 2135. doi: 10.1021/ja057316x

    152. [152]

      (152) Cui, X. D.; Zarate, X.; Tomfohr, J.; Sankey1, O. F.; Primak, A.;Moore, A. L.; Moore, T. A.; Gust, D.; Harris, G.; Lindsay, S.M. Nanotechnology 2002, 13, 5. doi: 10.1088/0957-4484/13/1/302(152) Cui, X. D.; Zarate, X.; Tomfohr, J.; Sankey1, O. F.; Primak, A.;Moore, A. L.; Moore, T. A.; Gust, D.; Harris, G.; Lindsay, S.M. Nanotechnology 2002, 13, 5. doi: 10.1088/0957-4484/13/1/302

    153. [153]

      (153) Engelkes, V. B.; Beebe, J. M.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc.2004, 126, 14287. doi: 10.1021/ja046274u(153) Engelkes, V. B.; Beebe, J. M.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc.2004, 126, 14287. doi: 10.1021/ja046274u

    154. [154]

      (154) Smaali, K.; Cle'ment, N.; Patriarche, G.; Vuillaume, D. ACS Nano 2012, 6, 4639. doi: 10.1021/nn301850g(154) Smaali, K.; Cle'ment, N.; Patriarche, G.; Vuillaume, D. ACS Nano 2012, 6, 4639. doi: 10.1021/nn301850g

    155. [155]

      (155) Song, H.; Kim, Y.; Jeong, H.; Reed, M. A.; Lee, T. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 20431. doi: 10.1021/jp104760b(155) Song, H.; Kim, Y.; Jeong, H.; Reed, M. A.; Lee, T. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 20431. doi: 10.1021/jp104760b

    156. [156]

      (156) Creager, S.; Yu, C. J.; Bamdad, C.; Connor, S. O.; MacLean,T.; Lam, E.; Chong, Y.; Olsen, G. T.; Luo, J. Y.; zin, M.;Kayyem, J. F. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 1059. doi: 10.1021/ja983204c(156) Creager, S.; Yu, C. J.; Bamdad, C.; Connor, S. O.; MacLean,T.; Lam, E.; Chong, Y.; Olsen, G. T.; Luo, J. Y.; zin, M.;Kayyem, J. F. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 1059. doi: 10.1021/ja983204c

    157. [157]

      (157) Wang,W. Y.; Lee, T.; Reed, M. A. J. Phys. Chem. B 2004, 108,18398. doi: 10.1021/jp048904k(157) Wang,W. Y.; Lee, T.; Reed, M. A. J. Phys. Chem. B 2004, 108,18398. doi: 10.1021/jp048904k

    158. [158]

      (158) Lee, T.;Wang,W. Y.; Zhang, J. J.; Su, J.; Klemic, J. F.; Reed,M. A. Curr. Appl. Phys. 2005, 5, 213. doi: 10.1016/j.cap.2003.11.088(158) Lee, T.;Wang,W. Y.; Zhang, J. J.; Su, J.; Klemic, J. F.; Reed,M. A. Curr. Appl. Phys. 2005, 5, 213. doi: 10.1016/j.cap.2003.11.088

    159. [159]

      (159) Bonifas, A. P.; McCreery, R. L. Nano Lett. 2011, 11, 4725. doi: 10.1021/nl202495k(159) Bonifas, A. P.; McCreery, R. L. Nano Lett. 2011, 11, 4725. doi: 10.1021/nl202495k

    160. [160]

      (160) Kim, B. S.; Choi, S. H.; Zhu, X. Y.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 19864. doi: 10.1021/ja207751w(160) Kim, B. S.; Choi, S. H.; Zhu, X. Y.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 19864. doi: 10.1021/ja207751w

    161. [161]

      (161) Liu, K.; Li, G. R.;Wang, X. H.;Wang, F. S. J. Phys. Chem. C2008, 112, 4342.(161) Liu, K.; Li, G. R.;Wang, X. H.;Wang, F. S. J. Phys. Chem. C2008, 112, 4342.

    162. [162]

      (162) He, J.; Chen, F.; Li, J.; Sankey, O. F.; Terazono, Y.; Herrero,C.; Gust, D.; Moore, T. A.; Moore, A. L.; Lindsay, S. M. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 1384. doi: 10.1021/ja043279i(162) He, J.; Chen, F.; Li, J.; Sankey, O. F.; Terazono, Y.; Herrero,C.; Gust, D.; Moore, T. A.; Moore, A. L.; Lindsay, S. M. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 1384. doi: 10.1021/ja043279i

    163. [163]

      (163) Sakaguchi, H.; Hirai, A.; Iwata, F.; Sasaki, A.; Nagamura, T.Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3708. doi: 10.1063/1.1421233(163) Sakaguchi, H.; Hirai, A.; Iwata, F.; Sasaki, A.; Nagamura, T.Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3708. doi: 10.1063/1.1421233

    164. [164]

      (164) Kaliginedi, V.; Moreno-García, P.; Valkenier, H.; Hong,W. J.;García-Suarez, V. M.; Otten, J. L. H.; Buiter, P.; Hummelen, J.C.; Lambert, C. J.;Wandlowski, T. J. Am. Chem. Soc. 2012,134, 5262. doi: 10.1021/ja211555x(164) Kaliginedi, V.; Moreno-García, P.; Valkenier, H.; Hong,W. J.;García-Suarez, V. M.; Otten, J. L. H.; Buiter, P.; Hummelen, J.C.; Lambert, C. J.;Wandlowski, T. J. Am. Chem. Soc. 2012,134, 5262. doi: 10.1021/ja211555x

    165. [165]

      (165) Liu, K.;Wang, X. H.;Wang, F. S. ACS Nano 2008, 2, 2315.doi: 10.1021/nn800475a(165) Liu, K.;Wang, X. H.;Wang, F. S. ACS Nano 2008, 2, 2315.doi: 10.1021/nn800475a

    166. [166]

      (166) Akkerman, H. B.; de Boer, B. J. Condens. Matter Phys. 2008,20, 013001. doi: 10.1088/0953-8984/20/01/013001(166) Akkerman, H. B.; de Boer, B. J. Condens. Matter Phys. 2008,20, 013001. doi: 10.1088/0953-8984/20/01/013001

    167. [167]

      (167) Moth-Poulsen, K.; Patrone, L.; Stuhr-Hansen, N.; Christensen,J. B.; Bour in, J. P.; Bjørnholm, T. Nano Lett. 2005, 5, 783.doi: 10.1021/nl050032q(167) Moth-Poulsen, K.; Patrone, L.; Stuhr-Hansen, N.; Christensen,J. B.; Bour in, J. P.; Bjørnholm, T. Nano Lett. 2005, 5, 783.doi: 10.1021/nl050032q

    168. [168]

      (168) Guo, X. F.; Small, J. P.; Klare, J. E.;Wang, Y. L.; Purewal, M.S.; Tam, I.W.; Hong, B. H.; Caldwell, R.; Huang, L. M.;O'Brien, S.; Yan, J. M.; Breslow, R.;Wind, S. J.; Hone, J.;Kim, P.; Nuckolls, C. Science 2006, 311, 356. doi: 10.1126/science.1120986(168) Guo, X. F.; Small, J. P.; Klare, J. E.;Wang, Y. L.; Purewal, M.S.; Tam, I.W.; Hong, B. H.; Caldwell, R.; Huang, L. M.;O'Brien, S.; Yan, J. M.; Breslow, R.;Wind, S. J.; Hone, J.;Kim, P.; Nuckolls, C. Science 2006, 311, 356. doi: 10.1126/science.1120986

    169. [169]

      (169) Feldmen, A.; Steigerwald, M. L.; Guo, X. F.; Nuckolls, C.Accounts Chem. Res. 2008, 41, 1731.(169) Feldmen, A.; Steigerwald, M. L.; Guo, X. F.; Nuckolls, C.Accounts Chem. Res. 2008, 41, 1731.

    170. [170]

      (170) Qian, S.; Guo, X. F.; Steigerwald, M. L.; Nuckolls, C. Chem. Asian J. 2010, 5, 1040. doi: 10.1002/asia.200900565(170) Qian, S.; Guo, X. F.; Steigerwald, M. L.; Nuckolls, C. Chem. Asian J. 2010, 5, 1040. doi: 10.1002/asia.200900565

    171. [171]

      (171) Cao, Y.; Liu, S.; Shen, Q.; Yan, K.; Li, P. J.; Xu, J.; Yu, D. P.;Steigerwald, M. L.; Nuckolls, C.; Liu, Z. F.; Guo, X. F. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2743. doi: 10.1002/adfm.v19:17(171) Cao, Y.; Liu, S.; Shen, Q.; Yan, K.; Li, P. J.; Xu, J.; Yu, D. P.;Steigerwald, M. L.; Nuckolls, C.; Liu, Z. F.; Guo, X. F. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2743. doi: 10.1002/adfm.v19:17

    172. [172]

      (172) Cao, Y.;Wei, Z. M.; Liu, S.; Shen, Q.; Gan, L.; Shi, S. J.; Guo,X. F.; Xu,W.; Steigerwald, M. L.; Liu, Z. F.; Zhu, D. B.Angew. Chem. Int. Edit. 2010, 49, 6319. doi: 10.1002/anie.201001683

      (172) Cao, Y.;Wei, Z. M.; Liu, S.; Shen, Q.; Gan, L.; Shi, S. J.; Guo,X. F.; Xu,W.; Steigerwald, M. L.; Liu, Z. F.; Zhu, D. B.Angew. Chem. Int. Edit. 2010, 49, 6319. doi: 10.1002/anie.201001683

  • 加载中
WeChat 扫一扫看文章
计量
  • PDF下载量:  1010
  • 文章访问数:  1655
  • HTML全文浏览量:  42
文章相关
  • 发布日期:  2013-05-17
  • 收稿日期:  2013-01-29
  • 网络出版日期:  2013-04-01
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

  1. 本站搜索
  2. 百度学术搜索
  3. 万方数据库搜索
  4. CNKI搜索

/

返回文章

All Rights Reserved by the Chinese Chemical Society   中国化学会 版权所有 京ICP备05002797号

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发    技术支持: info@rhhz.net