不同覆盖度下Li原子在Si(001)表面上的吸附构型和电子结构

倪碧莲 蔡亚萍 李奕 丁开宁 章永凡

引用本文: 倪碧莲, 蔡亚萍, 李奕, 丁开宁, 章永凡. 不同覆盖度下Li原子在Si(001)表面上的吸附构型和电子结构[J]. 物理化学学报, 2009, 25(08): 1535-1544. doi: 10.3866/PKU.WHXB20090742 shu
Citation:  NI Bi-Lian, CAI Ya-Ping, LI Yi, DING Kai-Ning, ZHANG Yong-Fan. Geometries and Electronic Structures for the Adsorption of Li on Si(001) Surface with Different Coverages[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2009, 25(08): 1535-1544. doi: 10.3866/PKU.WHXB20090742 shu

不同覆盖度下Li原子在Si(001)表面上的吸附构型和电子结构

摘要:

采用基于赝势平面波基组的密度泛函理论, 对不同Li原子覆盖度下Li/Si(001)体系的吸附构型、电子结构以及吸附Li原子对表面性质的影响进行了系统研究. 计算结果表明, 在所考察的覆盖度范围内, Li原子倾向于吸附在相邻两个Si-Si二聚体之间各种对称性较高的空穴位, 其中覆盖度为0.75 ML(monolayer)时具有最小的平均吸附能. 由能带结构分析结果可知, 随着覆盖度的增大, Si(001)表面存在由半导体→导体→半导体的变化过程. 在覆盖度为1.00 ML时, 由于表层二聚体均受到显著破坏, 使得体系带隙明显增大. 吸附后, 有较多电子从Li原子转移到底物, 导致Si(001)表面功函显著下降, 并随着覆盖度的增加表面功函呈现振荡变化. 此外, 从热力学稳定性角度上看, 覆盖度为0.75 ML的Li/Si(001)表面较难形成.

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  • 发布日期:  2009-07-16
  • 收稿日期:  2009-02-10
  • 网络出版日期:  2009-05-20
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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