化学镀铜过程混合电位本质的研究

谷新 胡光辉 王周成 林昌健

引用本文: 谷新, 胡光辉, 王周成, 林昌健. 化学镀铜过程混合电位本质的研究[J]. 物理化学学报, 2004, 20(02): 113-117. doi: 10.3866/PKU.WHXB20040201 shu
Citation:  Gu Xin, Hu Guang-Hui, Wang Zhou-Cheng, Lin Chang-Jian. In situ Investigation on the Behavior of Mixed Potential in Electroless Copper Plating[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2004, 20(02): 113-117. doi: 10.3866/PKU.WHXB20040201 shu

化学镀铜过程混合电位本质的研究

摘要: 现场测量了铜基和陶瓷基化学镀铜过程混合电位-时间曲线(Emix-t),成功地检测到了化学镀诱发过程.考察了添加剂和络合剂的浓度以及pH值对Emix-t曲线的影响,结合阴、阳极极化曲线及双电层理论对各种影响因素进行了讨论.新生铜活化的铜基化学镀铜的诱发过程是一个缓慢激活过程,所对应的Emix-t曲线是一个稍微倾斜的台阶,这不同于钯活化的基体的诱发过程.通过对不同活化工艺的Emix-t曲线的比较,发现较高的活化温度能明显减少活化时间,而且还可加速诱发过程,从而提高化学沉积铜的速度.

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  • 发布日期:  2004-02-15
  • 收稿日期:  2003-07-10
  • 网络出版日期:  2004-02-15
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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