含Hg化合物的相对论赝势从头计算研究——HgX2(X=Cl,Br,I)的电子结构

马忠新 戴树珊

引用本文: 马忠新, 戴树珊. 含Hg化合物的相对论赝势从头计算研究——HgX2(X=Cl,Br,I)的电子结构[J]. 物理化学学报, 1989, 5(05): 551-557. doi: 10.3866/PKU.WHXB19890509 shu
Citation:  Ma Zhongxin, Dai Shushan*. 

Ab initio STUDY OF COMPOUNDS CONTAINING MERCURY USING RELATIVISTIC PSEUDOPOTENTIALS——The Electronic Structures of HgX2 (X=Cl, Br, Ⅰ)

[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 1989, 5(05): 551-557. doi: 10.3866/PKU.WHXB19890509
shu

含Hg化合物的相对论赝势从头计算研究——HgX2(X=Cl,Br,I)的电子结构

摘要: 本文应用相对论赝势从头计算方法, 在不同基组水平上, 系统地研究了卤化汞(HgX_2, X=Cl,Br,I)系列的电子结构。表明除Hg的6s主要参与成键外, 5dz~2也起了重要的作用。并且随卤素原子序的增加, π成键作用也增强。同时还应用单电子自旋-轨道耦合方法, 研究了旋-轨耦合效应的影响, 指定了该系列化合物的光电子能谱。

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  • 发布日期:  1989-10-15
  • 收稿日期:  1988-03-08
  • 网络出版日期:  1989-10-15
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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