ZnO纳米线形态对其光致发光性能的影响

黄新民 任鑫 朱泓

引用本文: 黄新民, 任鑫, 朱泓. ZnO纳米线形态对其光致发光性能的影响[J]. 应用化学, 2007, 24(3): 353-356. shu
Citation:  HUANG Xin-Min, REN Xin, ZHU Hong. Influence of the Shape of ZnO Nanowires on Photoluminescence Property[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 2007, 24(3): 353-356. shu

ZnO纳米线形态对其光致发光性能的影响

    通讯作者: 黄新民,男,教授;E-mail:xmhuang@mai.lh.fah.cn;研究方向:纳米材料
摘要: 以多孔氧化铝膜为模板,电化学沉积出Zn纳米线,再通过高温氧化得到ZnO纳米线阵列。通过改变制备多孔氧化铝模板的工艺参数来改变模板纳米孔径,进而改变ZnO纳米线的直径,得到不同形态的ZnO纳米线阵列。应用X射线衍射仪、透射电子显微镜测试技术表征了ZnO纳米线的结构与形貌。结果发现,X射线衍射时会出现随ZnO纳米线直径增大衍射峰增多和增强的现象。采用荧光光谱仪测试样品的光致发光性能,通过Gaussian原理对谱峰的拟合分析了ZnO纳米线形态对其光致发光光谱的影响。结果表明,随着纳米线直径从30nm至60nm依次增大,其结晶性和化学计量比逐渐变好。近紫外区和蓝光区的发射峰随着纳米线直径的增大而蓝移,而纳米线直径为60nm的样品则出现随直径增大而红移的现象。结果可见,直径在55~60nm间的某点将是ZnO纳米线的结构和光致发光性能变化的临界点。

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  • 收稿日期:  2006-04-06
  • 网络出版日期:  2006-06-10
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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