n-GaAs为基的光电化学电池输出特性

钱道荪 孙立中 沈毅

引用本文: 钱道荪, 孙立中, 沈毅. n-GaAs为基的光电化学电池输出特性[J]. 应用化学, 1988, 5(5): 93-95. shu
Citation:  Qian Daosun, Sun Lizbong, Shen Yi. A STUDY OF THE OUTPUT CHARACTERISTICS OF PHOTO ELECTROCHEMICAL CELL(PEC) BASED ON n-GaAs[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1988, 5(5): 93-95. shu

n-GaAs为基的光电化学电池输出特性

摘要: GaAs的禁带宽度为1.428eV,而且是直接跃迁,是光电化学电池中很好的电极材料.

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  • 收稿日期:  1987-10-12
  • 网络出版日期:  1988-01-20
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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