圆盘微电极的卷积和交流伏安行为

董绍俊 贺军

引用本文: 董绍俊, 贺军. 圆盘微电极的卷积和交流伏安行为[J]. 应用化学, 1988, 5(5): 63-66. shu
Citation:  Dong Shaojun, He Jun. DECONVOLUTION VOLTAMMETRY AND AC VOLTAMMETRY AT DISK MICROELECTRODE[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 1988, 5(5): 63-66. shu

圆盘微电极的卷积和交流伏安行为

摘要: 研究了可逆氧化还原对(以二茂铁为例)在圆盘微铂电极上的卷积法,包括一阶导数卷积(e),二阶导数卷积(e'),三阶导数卷积(e″)的行为.结果表明,在微电极上的e-E曲线类似于常规电极的循环伏安曲线。e、e'和e″曲线的峰高与扫速幂次的关系与悬汞电极上的规律相符,但其值分别为0.5、1.5、2.5.还研究了微电极的交流伏安行为,得到铁氰化钾的特征电位值。

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  • 收稿日期:  1987-06-24
  • 网络出版日期:  1987-12-11
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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