用金属盐和硫脲前驱体溶液，通过刮涂工艺制备出Cu(In，Ga)S₂半导体材料，并研究了Ga与Ga+In的物质的量浓度之比(GGI)对其对应太阳能电池性能的影响规律。结果表明，Cu(In，Ga)S₂带隙随着GGI的增加而逐渐提高；较低的GGI能促进晶粒生长，有效提高器件的开路电压(V_OC)和填充因子，但过高的GGI会阻碍晶粒生长，不利于器件性能的提升。在GGI=0.25时，Cu(In，Ga)S₂的带隙达到1.69 eV，对应器件的光电转换效率达到9.06%，与未Ga合金化的器件相比提升了37.48%。进一步的研究表明Ga合金化有效降低了体相和界面缺陷浓度，改善了异质结界面质量，抑制了载流子复合。

以Ga₂O₃半导体为前驱体，用浸渍加低温磷化法制备了P掺杂Ga₂O₃表面修饰Ni₂P光催化剂(x-Ni₂P/Ga₂O₃-P_y，x代表Ni²⁺和Ga₂O₃的物质的量之比，y代表NaH₂PO·H₂O与Ga₂O₃的物质的量之比)。5%-Ni₂P/Ga₂O₃-P₆催化剂展现出在纯水中光催化析氢的高活性，在430 nm光照下的光量子效率为0.22%。机理研究结果表明Ni₂P修饰和P掺杂扩展了催化剂的光响应范围，同时提升了载流子分离迁移效率，其长周期光催化反应稳定性明显优于未磷化催化剂。