材料掺杂与缺陷工程是调控电磁波吸收性能的两种有效策略。本研究针对碳化硅(SiC)纳米线存在的阻抗匹配失配与吸波能力较差的问题，通过水热合成结合一步煅烧法，成功将氧化钴(Co₃O₄)纳米颗粒锚定在SiC纳米线表面。随后通过二次水热策略及后续还原处理，将合成的Co₃O₄分别转化为SiC@CoSe₂和SiC@CoSe_2−x复合材料，使SiC@CoSe_2−x纳米复合材料展现出优异的电磁波吸收性能。在导电损耗、极化损耗与磁损耗的协同作用下，优化后的纳米复合材料在1.9 mm厚度处取得−50.23 dB的最小反射损耗(RL_min)，并在2.03 mm厚度下实现7.84 GHz的有效吸收带宽(EAB)，覆盖部分X波段及整个Ku波段。通过系统阐释电磁衰减机制，揭示了CoSe₂基纳米材料在电磁波吸收应用中的广阔前景。