亲核氧化反应在可持续生产增值化学品中扮演着重要角色。电催化甘油氧化反应作为亲核氧化反应的一种重要类型，可以制得包括甲酸在内的C₁至C₃衍生产物。非贵金属氢氧化物/羟基氧化物被广泛应用于甘油氧化反应，但在中等电位下难以达到工业级电流密度(大于300 mA·cm^-2])。研究表明，氢氧化物/羟基氧化物催化的甘油氧化反应通过间接氧化机理进行, 即通过电生成的含有亲电吸附氧的羟基氧化物氧化亲核试剂(甘油)。因此，理解甘油氧化反应中电催化剂的演变至关重要。在本文中，通过循环伏安法活化钼酸镍(NiMoO₄)，开发了一种钼掺杂的羟基氧化镍(Mo-NiOOH)催化剂。通过多种表征方法对Mo-NiOOH进行了系统表征，结果显示，Mo-NiOOH继承了NiMoO₄前驱体的纳米片阵列形貌，但Mo含量降低，证明循环伏安法活化后实现了从氧化物到羟基氧化物的相重构。此外，Mo-NiOOH中Ni³⁺/Ni²⁺的比例高于循环伏安法活化制备的NiOOH。在活化过程中，Mo物种从NiMoO₄中浸出，制备得到的Mo-NiOOH保留了NiMoO₄前驱体的纳米片阵列形貌。与氢氧化镍(Ni(OH)₂)经循环伏安法活化合成的NiOOH相比，Mo-NiOOH具有更高的电化学比表面积(ECSAs)和更高的Ni³⁺/Ni²⁺比例，且促进了Ni²⁺氧化为Ni³⁺。因此，Mo-NiOOH达到高电流密度(400 mA·cm^-2])的电位(1.51 V vs. RHE)低于NiOOH (1.84 V vs. RHE)。此外，Mo-NiOOH表现出高于NiOOH的甲酸盐法拉第效率(84.7% vs. 59.6%)，表明钼掺杂加速了碳―碳键断裂。多电位阶跃实验显示，NiOOH和Mo-NiOOH催化的甘油电氧化通过类似的羟基氧化物介导的间接氧化机理进行。原位电化学阻抗谱和原位拉曼光谱证实，Mo掺杂促进了甘油氧化反应动力学以及Ni²⁺氧化为Ni³⁺的过程，导致Mo-NiOOH比NiOOH具有更高的活性和甲酸选择性。本研究通过可溶性阴离子浸出策略来调节羟基氧化物表面结构，为设计高性能亲核氧化反应电催化剂提供了指导。

碲化锰(manganese telluride，MnTe)作为一种新兴的非层状二维材料，因其优异的性质以及在下一代电子和光电子器件中的巨大潜力，而受到研究学者们的广泛关注。然而，目前超薄二维MnTe的可控合成仍然是一个巨大的挑战，这限制了对其基础性质的研究和应用的深入探索。本文采用化学气相沉积方法成功合成了大面积的MnTe纳米片，并探究了其厚度对电学性质和器件应用的影响。通过提高MnTe纳米片的生长温度，样品厚度逐渐增加，晶畴尺寸从10 μm增至125 μm，形貌从三角形逐渐过度到六边形，最终生长成高度对称的圆形。结构表征和二次谐波测试表明，所制备的MnTe纳米片具有高度的结晶质量和优异的二阶非线性光学性质。此外，通过对不同厚度MnTe纳米片的电学输运测试，发现随着厚度从薄到厚，其导电特性从p型半导体逐渐转变为半金属。因此，利用半导体特性的薄层MnTe纳米片构建的光电探测器展现出出色的光响应性能。而将金属特性的厚层MnTe作为MoS₂场效应晶体管的接触电极，显著提高了器件性能，如载流子迁移率可从12.76 cm²∙V⁻¹∙s⁻¹ (Au接触)提升到47.34 cm²∙V⁻¹∙s⁻¹ (MnTe接触)。