采用气固法制备了磷化钼-碳纳米花(MoP-CFs)，通过简单的超声自组装将C₆₀修饰在MoP-CFs表面，形成范德瓦耳斯异质结。研究其电催化析氢性能发现，C₆₀的修饰能够有效降低电催化析氢过电位。其中，10% C₆₀-MoP-CFs样品(10%为C₆₀的质量分数)表现出最佳催化活性，在酸性和碱性条件下达到10 mA·cm^-2的电流密度时，所需要的过电位分别为158和157 mV，并且具有至少20 h的电催化稳定性。C₆₀与MoP-CFs之间强电子耦合作用促进电子由C₆₀迁移到MoP-CFs表面，有助于减小电荷传输阻力，加快电催化析氢界面反应动力学过程。

电子元件集成度的快速提升对器件热管理提出了更高的要求。石墨烯凭借其出色的导热性能成为备受关注的材料之一。目前制备高热导率石墨烯厚膜的主流方法是将氧化石墨烯组装成膜再还原，尽管前人的研究取得了突出成效，但截止目前仍未能完全理解石墨烯膜内部缺陷结构对热导率的具体影响机制，这将限制热导率的进一步提升，达到或超过1500 W·m^-1·K^-1。在氧化石墨烯膜的热还原过程中，不可避免地会形成一些孔洞结构，通过降低整体密度的方式降低热导率。热扩散系数作为决定热导率大小的另一因素，孔洞对其影响因素却尚未被研究过。在这里，我们定义了包含孔洞的石墨烯膜材料特有的本征热扩散系数，并通过多种电子显微学方法、热扩散系数的测试和有限元模拟，详细研究了石墨烯厚膜的本征热扩散系数与微观结构之间的关联。我们旨在阐明孔洞对热扩散系数以及热导率的影响方式和作用机制。研究结果揭示了不同尺寸和数量的孔洞对热扩散系数的影响，发现密集小孔洞结构可使热扩散系数降低39.4%，而同等面积的单一大孔洞结构对热扩散系数的降低仅约16.1%。通过三维重构获得的统计结论也与计算结果完全匹配。其内在机制是密集小孔洞结构的存在对原有传热路径的破坏更为严重，而单一大孔洞结构的这一作用则相对较弱，只是降低了整体密度从而降低热导率。此外，研究发现面外结晶性对热扩散系数有显著影响，进一步增进了对影响热扩散系数的微观机理的认识。通过阐明这些机制，我们的研究加深了对石墨烯厚膜微观结构与热学性能关联的理解，为生产超高热导率的石墨烯厚膜提供了重要信息，也为下一代电子器件热管理解决方案提供了有效策略。