类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用

引用本文: 汤鹏, 肖坚坚, 郑超, 王石, 陈润锋. 类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用[J]. 物理化学学报, doi: 10.3866/PKU.WHXB201302062 shu

Citation: TANG Peng, XIAO Jian-Jian, ZHENG Chao, WANG Shi, CHEN Run-Feng. Graphene-Like Molybdenum Disulfide and Its Application in Optoelectronic Devices[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, doi: 10.3866/PKU.WHXB201302062 shu

类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用

基金项目:
国家重点基础研究发展规划项目(973) (2009CB930601) (973) (2009CB930601)

国家自然科学基金(20804020, 21274065) (20804020, 21274065)

江苏省自然科学基金(BK2011751)资助 (BK2011751)

摘要:

由单层或几层二硫化钼构成的类石墨烯二硫化钼(graphene-like MoS₂)是一种具有类似石墨烯结构和性能的新型二维(2D)层状化合物, 近年来以其独特的物理、化学性质而成为新兴的研究热点. 本文综述了近年来类石墨烯二硫化钼常见的几种制备方法, 包括以微机械力剥离、锂离子插层和液相超声法等为主的“自上而下”的剥离法, 以及以高温热分解、水热法等为主的“自下而上”的合成法; 介绍了其常用的结构表征方法, 包括原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱等; 概述了类石墨烯二硫化钼的紫外-可见(UV-Vis)吸收、荧光发射等基本光物理性质及其相关机理; 总结了类石墨烯二硫化钼在二次电池、场效应晶体管、传感器、有机电致发光二极管和电存储等光电子器件领域的应用原理及其研究进展, 展望了这类新型二维层状化合物的研究前景.

关键词:

English

Graphene-Like Molybdenum Disulfide and Its Application in Optoelectronic Devices

1.
Institute of Advanced Materials, Nanjing University of Posts and TelecommunicationsKey Laboratory for Organic Electronics & Information Displays, Nanjing 210023, P. R. China
Received Date: 28 November 2012
Available Online: 25 March 2013
Fund Project:
国家重点基础研究发展规划项目(973) (2009CB930601)

国家自然科学基金(20804020, 21274065)

江苏省自然科学基金(BK2011751)资助

Abstract:

Graphene-like molybdenum disulfide (MoS₂), which is composed of a monolayer or few layers of MoS₂, is a new two-dimensional (2D) layered material that has attracted considerable attention recently because of its unique structure and optical and electronic properties. Here we first review the methods used to synthesize graphene-like MoS₂. “Top-down” methods include micromechanical exfoliation, lithium-based intercalation and liquid exfoliation, while the“bottom-up”approaches covered are thermal decomposition and hydrothermal synthesis. We then discuss several methods used to characterize the 2D layered structures of MoS₂, such as atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and Raman spectroscopy. We describe the UV-Vis absorption and photoluminescent properties of graphene-like MoS₂ and their related mechanisms. Finally, we summarize the application of graphene-like MoS₂ in various optoelectronic devices such as secondary batteries, field-effect transistors, sensors, organic light-emitting diodes, and memory. The application principles and research progress are discussed, followed by a summary and outlook for the research of this emerging 2D layered nanomaterial.

Key words:

1. [1]
  
  (1) Lee, C.; Li, Q. Y.; Kalb,W.; Liu, X. Z.; Berger, H.; Carpick, R.W.; Hone, J. Science 2010, 328, 76. doi: 10.1126/science.1184167
  (1) Lee, C.; Li, Q. Y.; Kalb,W.; Liu, X. Z.; Berger, H.; Carpick, R.W.; Hone, J. Science 2010, 328, 76. doi: 10.1126/science.1184167
2. [2]
  (2) Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Jiang, D.; Morozov, S. V.;Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Gri rieval, I. V. Science 2004,306, 666. doi: 10.1126/science.1102896(2) Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Jiang, D.; Morozov, S. V.;Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Gri rieval, I. V. Science 2004,306, 666. doi: 10.1126/science.1102896
3. [3]
  (3) Dean. C. R.; Young, A. F.; Meric, I.; Lee, C.;Wang, L.;Sorgenfrei, S.;Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kim, P.; Shepard,K. L.; Hone, J. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722. doi: 10.1038/nnano.2010.172(3) Dean. C. R.; Young, A. F.; Meric, I.; Lee, C.;Wang, L.;Sorgenfrei, S.;Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Kim, P.; Shepard,K. L.; Hone, J. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722. doi: 10.1038/nnano.2010.172
4. [4]
  (4) Pacile, D.; Meyer, J. C.; Girit, C. O.; Zettl, A. Appl. Phys. Lett.2008, 92, 133107. doi: 10.1063/1.2903702(4) Pacile, D.; Meyer, J. C.; Girit, C. O.; Zettl, A. Appl. Phys. Lett.2008, 92, 133107. doi: 10.1063/1.2903702
5. [5]
  (5) Lotya, M.; Hernandez, Y.; King, P. J.; Smith, R. J.; Nicolosi,V.; Karlsson, L. S.; Blighe, F. M.; De, S.;Wang, Z. M.;Mc vern, I. T.; Duesberg, G. S.; Coleman, J. N. J. Am.Chem. Soc. 2009, 131, 3611. doi: 10.1021/ja807449u(5) Lotya, M.; Hernandez, Y.; King, P. J.; Smith, R. J.; Nicolosi,V.; Karlsson, L. S.; Blighe, F. M.; De, S.;Wang, Z. M.;Mc vern, I. T.; Duesberg, G. S.; Coleman, J. N. J. Am.Chem. Soc. 2009, 131, 3611. doi: 10.1021/ja807449u
6. [6]
  (6) Liu,W.W.;Wang, J. N. Chem. Commun. 2011, 47, 6888. doi: 10.1039/c1cc11933h(6) Liu,W.W.;Wang, J. N. Chem. Commun. 2011, 47, 6888. doi: 10.1039/c1cc11933h
7. [7]
  (7) O'Neil, A.; Khan, U.; Nirmalraj, P. N.; Boland, J.; Coleman, J.N. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 5422. doi: 10.1021/jp110942e(7) O'Neil, A.; Khan, U.; Nirmalraj, P. N.; Boland, J.; Coleman, J.N. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 5422. doi: 10.1021/jp110942e
8. [8]
  (8) Lee, C.; Yan, H.; Brus, L. E.; Heinz, T. F.; Hone, J.; Ryu, S.ACS Nano 2010, 4, 2695. doi: 10.1021/nn1003937(8) Lee, C.; Yan, H.; Brus, L. E.; Heinz, T. F.; Hone, J.; Ryu, S.ACS Nano 2010, 4, 2695. doi: 10.1021/nn1003937
9. [9]
  (9) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.; Chim,C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.(9) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.; Chim,C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.
10. [10]
  (10) Mak, K. F.; He, K.; Shan, J.; Heinz, T. F. Nat. Nanotechnol.2012, 7, 494. doi: 10.1038/nnano.2012.96(10) Mak, K. F.; He, K.; Shan, J.; Heinz, T. F. Nat. Nanotechnol.2012, 7, 494. doi: 10.1038/nnano.2012.96
11. [11]
  (11) Zeng, H. L.; Dai, J. F.; Yao,W.; Xiao, D.; Cui, X. D. Nat.Nanotechnol. 2012, 7, 490. doi: 10.1038/nnano.2012.95(11) Zeng, H. L.; Dai, J. F.; Yao,W.; Xiao, D.; Cui, X. D. Nat.Nanotechnol. 2012, 7, 490. doi: 10.1038/nnano.2012.95
12. [12]
  (12) Cao, T.;Wang, G.; Han,W. P.; Ye, H. Q.; Zhu, C. R.; Shi, J. R.;Niu, Q.; Tan, P. H.;Wang, E.; Liu, B. L.; Feng, J. Nat.Commun. 2012, 3, 1.(12) Cao, T.;Wang, G.; Han,W. P.; Ye, H. Q.; Zhu, C. R.; Shi, J. R.;Niu, Q.; Tan, P. H.;Wang, E.; Liu, B. L.; Feng, J. Nat.Commun. 2012, 3, 1.
13. [13]
  (13) lub, A. S.; Rupasov, D. P.; Lenenko, N. D.; Novikov, Y. N.Russ. J. Inorg. Chem. 2011, 55 (8), 1166.(13) lub, A. S.; Rupasov, D. P.; Lenenko, N. D.; Novikov, Y. N.Russ. J. Inorg. Chem. 2011, 55 (8), 1166.
14. [14]
  (14) Brivio, J.; Alexander, D. T. L.; Kis, A. Nano Lett. 2011, 11,5148. doi: 10.1021/nl2022288(14) Brivio, J.; Alexander, D. T. L.; Kis, A. Nano Lett. 2011, 11,5148. doi: 10.1021/nl2022288
15. [15]
  (15) Ataca, C.; Ciraci, S. Phys. Rev. B 2012, 85, 195410. doi: 10.1103/PhysRevB.85.195410(15) Ataca, C.; Ciraci, S. Phys. Rev. B 2012, 85, 195410. doi: 10.1103/PhysRevB.85.195410
16. [16]
  (16) Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.;Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.(16) Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.;Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
17. [17]
  (17) Bromley, R. A.; Yoffe, A. D.; Murray, R. B. J. Phys. C: SolidState Phys. 1972, 5, 759. doi: 10.1088/0022-3719/5/7/007(17) Bromley, R. A.; Yoffe, A. D.; Murray, R. B. J. Phys. C: SolidState Phys. 1972, 5, 759. doi: 10.1088/0022-3719/5/7/007
18. [18]
  (18) Mattheis, L. F. Phys. Rev. B 1973, 8, 3719. doi: 10.1103/PhysRevB.8.3719(18) Mattheis, L. F. Phys. Rev. B 1973, 8, 3719. doi: 10.1103/PhysRevB.8.3719
19. [19]
  (19) Coehoorn, R.; Haas, C.; Dijkstra, J.; Flipse, C. J. F. Phys. Rev.B 1987, 35, 6203. doi: 10.1103/PhysRevB.35.6203(19) Coehoorn, R.; Haas, C.; Dijkstra, J.; Flipse, C. J. F. Phys. Rev.B 1987, 35, 6203. doi: 10.1103/PhysRevB.35.6203
20. [20]
  (20) Böker, T.; Severin, R.; Müller, A.; Janowitz, C.; Manzke, R.Phys. Rev. B 2001, 64, 235305. doi: 10.1103/PhysRevB.64.235305(20) Böker, T.; Severin, R.; Müller, A.; Janowitz, C.; Manzke, R.Phys. Rev. B 2001, 64, 235305. doi: 10.1103/PhysRevB.64.235305
21. [21]
  (21) Balendhran, S.; Ou, J. Z.; Bhaskaran, M.; Sriram, S.; Ippolito,S.; Vasic, Z.; Kats, E.; Bhargava, S.; Zhuiykov, S.; Zadeh, K.K. Nanoscale 2012, 4, 461. doi: 10.1039/c1nr10803d(21) Balendhran, S.; Ou, J. Z.; Bhaskaran, M.; Sriram, S.; Ippolito,S.; Vasic, Z.; Kats, E.; Bhargava, S.; Zhuiykov, S.; Zadeh, K.K. Nanoscale 2012, 4, 461. doi: 10.1039/c1nr10803d
22. [22]
  (22) Mak, K. F.; Lee, C. G.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys.Rev. Lett. 2010, 105, 136805. doi: 10.1103/PhysRevLett.105.136805(22) Mak, K. F.; Lee, C. G.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys.Rev. Lett. 2010, 105, 136805. doi: 10.1103/PhysRevLett.105.136805
23. [23]
  (23) Kuc, A.; Zibouche, N.; Heine, T. Phys. Rev. B 2011, 83,245213. doi: 10.1103/PhysRevB.83.245213(23) Kuc, A.; Zibouche, N.; Heine, T. Phys. Rev. B 2011, 83,245213. doi: 10.1103/PhysRevB.83.245213
24. [24]
  (24) Neto, A. H. C. Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 4382. doi: 10.1103/PhysRevLett.86.4382(24) Neto, A. H. C. Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 4382. doi: 10.1103/PhysRevLett.86.4382
25. [25]
  (25) Miremadi, B. K.; Morrison, S. R. J. Catal. 1987, 103, 334. doi: 10.1016/0021-9517(87)90125-4(25) Miremadi, B. K.; Morrison, S. R. J. Catal. 1987, 103, 334. doi: 10.1016/0021-9517(87)90125-4
26. [26]
  (26) Tye, C. T.; Smith, K. J. Catal. Today 2006, 116, 461. doi: 10.1016/j.cattod.2006.06.028(26) Tye, C. T.; Smith, K. J. Catal. Today 2006, 116, 461. doi: 10.1016/j.cattod.2006.06.028
27. [27]
  (27) Fortin, E.; Sears,W. M. J. Phys. Chem. Solids 1982, 43, 881.doi: 10.1016/0022-3697(82)90037-3(27) Fortin, E.; Sears,W. M. J. Phys. Chem. Solids 1982, 43, 881.doi: 10.1016/0022-3697(82)90037-3
28. [28]
  (28) Cesano, F.; Bertarione, S.; Piovano, A.; A stini, G.; Rahman,M. M.; Groppo, E.; Bonino, F.; Scarano, D.; Lamberti, C.;Bordiga, S.; Montanari, L.; Bonoldi, L.; Millini, R.; Zecchina,A. Catal. Sci. Technol. 2011, 1, 123.(28) Cesano, F.; Bertarione, S.; Piovano, A.; A stini, G.; Rahman,M. M.; Groppo, E.; Bonino, F.; Scarano, D.; Lamberti, C.;Bordiga, S.; Montanari, L.; Bonoldi, L.; Millini, R.; Zecchina,A. Catal. Sci. Technol. 2011, 1, 123.
29. [29]
  (29) Perkins, F. K.; Friedman, A. L.; Cobas, E.; Campbell, P. M.;Jernigan, G. G.; Jonker, B. T. Nano Lett. 2013, 13, 668. doi: 10.1021/nl3043079(29) Perkins, F. K.; Friedman, A. L.; Cobas, E.; Campbell, P. M.;Jernigan, G. G.; Jonker, B. T. Nano Lett. 2013, 13, 668. doi: 10.1021/nl3043079
30. [30]
  (30) Chen,W.; Santos, E. J. G.; Zhu,W. G.; Kaxiras, E.; Zhang, Z.Y. Nano Lett. 2013, 13, 509. doi: 10.1021/nl303909f(30) Chen,W.; Santos, E. J. G.; Zhu,W. G.; Kaxiras, E.; Zhang, Z.Y. Nano Lett. 2013, 13, 509. doi: 10.1021/nl303909f
31. [31]
  (31) Dresselhaus, S.; Chen, G.; Tang, M. Y.; Yang, R. G.; Lee, H.;Wang, D. Z.; Ren, Z. F.; Fleurial, J. P.; gna, P. Adv. Mater.2007, 19, 1043.(31) Dresselhaus, S.; Chen, G.; Tang, M. Y.; Yang, R. G.; Lee, H.;Wang, D. Z.; Ren, Z. F.; Fleurial, J. P.; gna, P. Adv. Mater.2007, 19, 1043.
32. [32]
  (32) Soon, J. M.; Loh, K. P. Electrochem. Solid State Lett. 2007, 10,A250.(32) Soon, J. M.; Loh, K. P. Electrochem. Solid State Lett. 2007, 10,A250.
33. [33]
  (33) Tanaka, H.; Okumiya, T.; Ueda, S. K.; Taketani, Y.; Murakami,M. Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811.(33) Tanaka, H.; Okumiya, T.; Ueda, S. K.; Taketani, Y.; Murakami,M. Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811.
34. [34]
  (34) Zhan, J. H.; Zhang, Z. D.; Qian, X. F.;Wang, C.; Xie, Y.; Qian,Y. T. J. Solid. State Chem. 1998, 141, 270. doi: 10.1006/jssc.1998.7991(34) Zhan, J. H.; Zhang, Z. D.; Qian, X. F.;Wang, C.; Xie, Y.; Qian,Y. T. J. Solid. State Chem. 1998, 141, 270. doi: 10.1006/jssc.1998.7991
35. [35]
  (35) Ray, S. C. J. Mater. Sci. Lett. 2000, 19 (9), 803. doi: 10.1023/A:1006737326527(35) Ray, S. C. J. Mater. Sci. Lett. 2000, 19 (9), 803. doi: 10.1023/A:1006737326527
36. [36]
  (36) Matte, H. S. S. R.; mathi, A.; Manna, A. K.; Late, D. J.;Datta, R.; Pati, S. K.; Rao, C. N. R. Angew. Chem. Int. Edit.2010, 122, 4153.(36) Matte, H. S. S. R.; mathi, A.; Manna, A. K.; Late, D. J.;Datta, R.; Pati, S. K.; Rao, C. N. R. Angew. Chem. Int. Edit.2010, 122, 4153.
37. [37]
  (37) Tian, Y.; He, Y.; Zhu, Y. Mater. Chem. Phys. 2004, 87, 87. doi: 10.1016/j.matchemphys.2004.05.010(37) Tian, Y.; He, Y.; Zhu, Y. Mater. Chem. Phys. 2004, 87, 87. doi: 10.1016/j.matchemphys.2004.05.010
38. [38]
  (38) Wang, H.W.; Skeldon, P.; Thompson, G. E. J. Mater. Sci.1998, 33 (12), 3079. doi: 10.1023/A:1004335604327(38) Wang, H.W.; Skeldon, P.; Thompson, G. E. J. Mater. Sci.1998, 33 (12), 3079. doi: 10.1023/A:1004335604327
39. [39]
  (39) Chu, G. S.; Bian, G. Z.; Fu, Y. L.; Zhang, Z. C. Mater. Lett.2000, 43 (3), 81. doi: 10.1016/S0167-577X(99)00235-9(39) Chu, G. S.; Bian, G. Z.; Fu, Y. L.; Zhang, Z. C. Mater. Lett.2000, 43 (3), 81. doi: 10.1016/S0167-577X(99)00235-9
40. [40]
  (40) Philipe, R. B.; Robert, F. J.; Richard, B. K. Nature 1991, 349,510. doi: 10.1038/349510a0(40) Philipe, R. B.; Robert, F. J.; Richard, B. K. Nature 1991, 349,510. doi: 10.1038/349510a0
41. [41]
  (41) Sekhar, C. R.; Malay, K. K.; Dhruba, D. G. Surf. Coat. Tech.1998, 102, 73. doi: 10.1016/S0257-8972(97)00561-6(41) Sekhar, C. R.; Malay, K. K.; Dhruba, D. G. Surf. Coat. Tech.1998, 102, 73. doi: 10.1016/S0257-8972(97)00561-6
42. [42]
  (42) Ponomarev, E. A.; Spallart, M. N.; Hodesand, G.; Clement, C.L. Thin Solid Films 1996, 280 (1), 86. doi: 10.1016/0040-6090(95)08204-2(42) Ponomarev, E. A.; Spallart, M. N.; Hodesand, G.; Clement, C.L. Thin Solid Films 1996, 280 (1), 86. doi: 10.1016/0040-6090(95)08204-2
43. [43]
  (43) Zhang,W. Z. Chin. Molyb. Ind. 2000, 25 (4), 23. [张文钲. 中国钼业, 2000, 25 (4), 23.](43) Zhang,W. Z. Chin. Molyb. Ind. 2000, 25 (4), 23. [张文钲. 中国钼业, 2000, 25 (4), 23.]
44. [44]
  (44) Lin, C. Y. Chin. Molyb. Ind. 1994, 18 (1), 25. [林春元. 中国钼业, 1994, 18 (1), 25.](44) Lin, C. Y. Chin. Molyb. Ind. 1994, 18 (1), 25. [林春元. 中国钼业, 1994, 18 (1), 25.]
45. [45]
  (45) Zhou, L. C.;Wu,W. D.; Zhao, H. J. Chin. Electr. Soc. 2004, 23 (6), 618. [周丽春, 吴伟端, 赵煌. 电子显微学报, 2004, 23 (6), 618.](45) Zhou, L. C.;Wu,W. D.; Zhao, H. J. Chin. Electr. Soc. 2004, 23 (6), 618. [周丽春, 吴伟端, 赵煌. 电子显微学报, 2004, 23 (6), 618.]
46. [46]
  (46) Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. Nature 2000, 407, 164. doi: 10.1038/35025020(46) Chhowalla, M.; Amaratunga, G. A. Nature 2000, 407, 164. doi: 10.1038/35025020
47. [47]
  (47) Sen, R.; vindaraj, A.; Suenaga, K. S.; Suzuki, H. K.; IijimaS.; Achiba, Y. Chem. Phys. Lett. 2001, 340, 242. doi: 10.1016/S0009-2614(01)00419-5(47) Sen, R.; vindaraj, A.; Suenaga, K. S.; Suzuki, H. K.; IijimaS.; Achiba, Y. Chem. Phys. Lett. 2001, 340, 242. doi: 10.1016/S0009-2614(01)00419-5
48. [48]
  (48) Wang, J. H.; Lauwerens,W.;Wieers, E.; Stals, L. M.; He, J.W.; Celis, J. P. Surf. Coat. Tech. 2001, 139, 143. doi: 10.1016/S0257-8972(01)00988-4(48) Wang, J. H.; Lauwerens,W.;Wieers, E.; Stals, L. M.; He, J.W.; Celis, J. P. Surf. Coat. Tech. 2001, 139, 143. doi: 10.1016/S0257-8972(01)00988-4
49. [49]
  (49) Frindt, R. F. J. Appl. Phys. 1966, 37, 1928.(49) Frindt, R. F. J. Appl. Phys. 1966, 37, 1928.
50. [50]
  (50) Han, S.W.; Kwon, H.; Kim, S. K.; Ryu, S.; Yun,W. S.; Kim,D. H.; Hwang, J. H.; Kang, J. S.; Baik, J.; Shin, H. J.; Hong, S.C. Phys. Rev. B 2011, 84, 045409. doi: 10.1103/PhysRevB.84.045409(50) Han, S.W.; Kwon, H.; Kim, S. K.; Ryu, S.; Yun,W. S.; Kim,D. H.; Hwang, J. H.; Kang, J. S.; Baik, J.; Shin, H. J.; Hong, S.C. Phys. Rev. B 2011, 84, 045409. doi: 10.1103/PhysRevB.84.045409
51. [51]
  (51) Yoon, Y.; Ganapathi, K.; Salahuddin, S. Nano Lett. 2011, 11,3768. doi: 10.1021/nl2018178(51) Yoon, Y.; Ganapathi, K.; Salahuddin, S. Nano Lett. 2011, 11,3768. doi: 10.1021/nl2018178
52. [52]
  (52) Radisavljevic, B.; Michael, B.W.; Andras, K. ACS Nano 2011,5, 9934. doi: 10.1021/nn203715c(52) Radisavljevic, B.; Michael, B.W.; Andras, K. ACS Nano 2011,5, 9934. doi: 10.1021/nn203715c
53. [53]
  (53) Zhang, Y. J.; Ye, J. T.; Matsuhashi, Y. S.; Iwasa, Y. Nano Lett.2012, 12, 1136. doi: 10.1021/nl2021575(53) Zhang, Y. J.; Ye, J. T.; Matsuhashi, Y. S.; Iwasa, Y. Nano Lett.2012, 12, 1136. doi: 10.1021/nl2021575
54. [54]
  (54) Ghatak, S.; Pal, A. N.; Ghosh, A. ACS Nano 2011, 5, 7707. doi: 10.1021/nn202852j(54) Ghatak, S.; Pal, A. N.; Ghosh, A. ACS Nano 2011, 5, 7707. doi: 10.1021/nn202852j
55. [55]
  (55) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Huang, X.; Lu, G.; Fam,D.W. H.; Zhang, Q.; Zhang, H. Small 2012, 8 (1), 63. doi: 10.1002/smll.201101016(55) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Huang, X.; Lu, G.; Fam,D.W. H.; Zhang, Q.; Zhang, H. Small 2012, 8 (1), 63. doi: 10.1002/smll.201101016
56. [56]
  (56) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Zhang, Q.; Zhang, H.Small 2012, 8 (5), 682. doi: 10.1002/smll.v8.5(56) Li, H.; Yin, Z. Y.; He, Q. Y.; Li, H.; Zhang, Q.; Zhang, H.Small 2012, 8 (5), 682. doi: 10.1002/smll.v8.5
57. [57]
  (57) Joensen, P.; Frindt, R. F.; Morrison, S. R. Mater. Res. Bull.1986, 21, 457. doi: 10.1016/0025-5408(86)90011-5(57) Joensen, P.; Frindt, R. F.; Morrison, S. R. Mater. Res. Bull.1986, 21, 457. doi: 10.1016/0025-5408(86)90011-5
58. [58]
  (58) Murphy, D.W.; Disalvo, F. J.; Hull, G.W.;Waszczak, J. V.;Meyer, S. F.; Stewart, G. R.; Early, S.; Acrivos, J. V.; Geballe,T. H. J. Chem. Phys.1975, 62, 973. doi: 10.1063/1.430513(58) Murphy, D.W.; Disalvo, F. J.; Hull, G.W.;Waszczak, J. V.;Meyer, S. F.; Stewart, G. R.; Early, S.; Acrivos, J. V.; Geballe,T. H. J. Chem. Phys.1975, 62, 973. doi: 10.1063/1.430513
59. [59]
  (59) Liu, C.; Singh, O.; Joensen, P.; Curzon, A. E.; Frindt, R. F.Thin Solid Films 1984, 113 (2), 165. doi: 10.1016/0040-6090(84)90025-7(59) Liu, C.; Singh, O.; Joensen, P.; Curzon, A. E.; Frindt, R. F.Thin Solid Films 1984, 113 (2), 165. doi: 10.1016/0040-6090(84)90025-7
60. [60]
  (60) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H. Adv. Mater. 2002,14, 265. doi: 10.1002/1521-4095(20020219)14:4<>1.0.CO;2-M(60) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H. Adv. Mater. 2002,14, 265. doi: 10.1002/1521-4095(20020219)14:4<>1.0.CO;2-M
61. [61]
  (61) Feng, J.; Peng, L.;Wu, C. Z.; Sun, X.; Hu, S. L.; Lin, C.W.;Dai, J.; Yang, J. L.; Xie, Y. Adv. Mater. 2012, 24, 1917. doi: 10.1002/adma.v24.15(61) Feng, J.; Peng, L.;Wu, C. Z.; Sun, X.; Hu, S. L.; Lin, C.W.;Dai, J.; Yang, J. L.; Xie, Y. Adv. Mater. 2012, 24, 1917. doi: 10.1002/adma.v24.15
62. [62]
  (62) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H.; Cohen, H.;Feldman, Y. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 5998. doi: 10.1021/ja020913o(62) Frey, G. L.; Reynolds, K. J.; Friend, R. H.; Cohen, H.;Feldman, Y. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 5998. doi: 10.1021/ja020913o
63. [63]
  (63) Aharon, E.; Albo, A.; Kalina, M.; Frey, G. L. Adv. Funct.Mater. 2006, 16, 980.(63) Aharon, E.; Albo, A.; Kalina, M.; Frey, G. L. Adv. Funct.Mater. 2006, 16, 980.
64. [64]
  (64) Eda, G.; Yamaguchi, H.; Voiry, D.; Fujita, T.; Chen, M.W.;Chhowalla, M. Nano Lett. 2011, 11, 5111. doi: 10.1021/nl201874w(64) Eda, G.; Yamaguchi, H.; Voiry, D.; Fujita, T.; Chen, M.W.;Chhowalla, M. Nano Lett. 2011, 11, 5111. doi: 10.1021/nl201874w
65. [65]
  (65) Coleman, J. N.; Lotya, M.; O'neill, A.; Bergin, S. D.; King, P.J.; Khan, U.; Young, K.; Gaucher, A.; De, S.; Smith, R. J.;Shvets, I. V.; Arora, S. K.; Staton, G.; Kim, H. Y.; Lee, K. H.;Kim, G. T.; Duesberg, G. S.; Hallam, T.; Boland, J. J.;Wang, J.J.; Donegan, J. F.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.; Shmeliov, A.;Nicholls, R. J.; Perkins, J. M.; Grieveson, E. M.; Theuwissen,K.; McComb, D.W.; Nellist, P. D.; Nicolosi, V. Science 2011,331, 568. doi: 10.1126/science.1194975(65) Coleman, J. N.; Lotya, M.; O'neill, A.; Bergin, S. D.; King, P.J.; Khan, U.; Young, K.; Gaucher, A.; De, S.; Smith, R. J.;Shvets, I. V.; Arora, S. K.; Staton, G.; Kim, H. Y.; Lee, K. H.;Kim, G. T.; Duesberg, G. S.; Hallam, T.; Boland, J. J.;Wang, J.J.; Donegan, J. F.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.; Shmeliov, A.;Nicholls, R. J.; Perkins, J. M.; Grieveson, E. M.; Theuwissen,K.; McComb, D.W.; Nellist, P. D.; Nicolosi, V. Science 2011,331, 568. doi: 10.1126/science.1194975
66. [66]
  (66) Lee, K. H.; Kim, H. Y.; Lotya, M.; Coleman, J. N.; Kim, G. T.;Duesberg, G. S. Adv. Mater. 2011, 23, 4178. doi: 10.1002/adma.201101013(66) Lee, K. H.; Kim, H. Y.; Lotya, M.; Coleman, J. N.; Kim, G. T.;Duesberg, G. S. Adv. Mater. 2011, 23, 4178. doi: 10.1002/adma.201101013
67. [67]
  (67) Smith, R. J.; King, P. J.; Lotya, M.;Wirtz, C.; Khan, U.; De,S.; O'neill, A.; Duesberg, G. S.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.;Chen, J.;Wang, J. Z.; Minett, A. I.; Nicolosi, V.; Coleman, J.N. Adv. Mater. 2011, 23, 3944.(67) Smith, R. J.; King, P. J.; Lotya, M.;Wirtz, C.; Khan, U.; De,S.; O'neill, A.; Duesberg, G. S.; Grunlan, J. C.; Moriarty, G.;Chen, J.;Wang, J. Z.; Minett, A. I.; Nicolosi, V.; Coleman, J.N. Adv. Mater. 2011, 23, 3944.
68. [68]
  (68) Liu, K. K.; Zhang,W. J.; Lee, Y. H.; Lin, Y. C.; Chang, M. T.;Su, C. Y.; Chang, C. S.; Li, H.; Shi, Y. M.; Zhang, H.; Lai, C.S.; Li, L. J. Nano Lett. 2012, 12, 1538. doi: 10.1021/nl2043612(68) Liu, K. K.; Zhang,W. J.; Lee, Y. H.; Lin, Y. C.; Chang, M. T.;Su, C. Y.; Chang, C. S.; Li, H.; Shi, Y. M.; Zhang, H.; Lai, C.S.; Li, L. J. Nano Lett. 2012, 12, 1538. doi: 10.1021/nl2043612
69. [69]
  (69) Helveg, S.; Lauritsen, J. V.; Lægsgaard, E.; Stensgaard, I.;Nørskov, J. K.; Clausen, B. S.; Topsæe, H.; Besenbacher, F.Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 951. doi: 10.1103/PhysRevLett.84.951(69) Helveg, S.; Lauritsen, J. V.; Lægsgaard, E.; Stensgaard, I.;Nørskov, J. K.; Clausen, B. S.; Topsæe, H.; Besenbacher, F.Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 951. doi: 10.1103/PhysRevLett.84.951
70. [70]
  (70) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.; Jia, Y.B.; Qian, Y. T. Chem. Lett. 2001, 8, 772.(70) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.; Jia, Y.B.; Qian, Y. T. Chem. Lett. 2001, 8, 772.
71. [71]
  (71) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.;Yang, Z.P.; Qian, Y. P. J. Solid State Chem. 2001, 159, 170. doi: 10.1006/jssc.2001.9146(71) Peng, Y. Y.; Meng, Z. Y.; Zhong, C.; Lu, J.; Yu,W. C.;Yang, Z.P.; Qian, Y. P. J. Solid State Chem. 2001, 159, 170. doi: 10.1006/jssc.2001.9146
72. [72]
  (72) Li, Q.; Newberg, J. T.;Walter, E. C.; Hemminger, J. C.;Penner, R. M. Nano Lett. 2004, 4, 277. doi: 10.1021/nl035011f(72) Li, Q.; Newberg, J. T.;Walter, E. C.; Hemminger, J. C.;Penner, R. M. Nano Lett. 2004, 4, 277. doi: 10.1021/nl035011f
73. [73]
  (73) Scragg, J. J.;Wätjen, J. T.; Edoff, M.; Ericson, T.; Kubart, T.;Björkman, C. P. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 19330. doi: 10.1021/ja308862n(73) Scragg, J. J.;Wätjen, J. T.; Edoff, M.; Ericson, T.; Kubart, T.;Björkman, C. P. J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 19330. doi: 10.1021/ja308862n
74. [74]
  (74) Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Huang, X.; Li, H.; He, Q. Y.; Lu, G.;Boey, F.; Zhang, H. Angew. Chem. Int. Edit. 2011, 50, 1.(74) Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Huang, X.; Li, H.; He, Q. Y.; Lu, G.;Boey, F.; Zhang, H. Angew. Chem. Int. Edit. 2011, 50, 1.
75. [75]
  (75) Late, D. J.; Liu, B.; Matte, H. S. S. R.; Rao, C. N. R.; Dravid,V. P. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1894. doi: 10.1002/adfm.201102913(75) Late, D. J.; Liu, B.; Matte, H. S. S. R.; Rao, C. N. R.; Dravid,V. P. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 1894. doi: 10.1002/adfm.201102913
76. [76]
  (76) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.W.;Chim, C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.doi: 10.1021/nl903868w(76) Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y. B.; Li, T. S.; Kim, J.W.;Chim, C. Y.; Galli, G.;Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271.doi: 10.1021/nl903868w
77. [77]
  (77) Wo, H. Z.; Hu, K. H.; Hu, L. M.; Yu, K. Guangdong Chem.Ind. 2010, 37 (1), 73. [沃恒洲, 胡坤宏, 胡立明, 余凯. 广东化工, 2010, 37 (1), 73.](77) Wo, H. Z.; Hu, K. H.; Hu, L. M.; Yu, K. Guangdong Chem.Ind. 2010, 37 (1), 73. [沃恒洲, 胡坤宏, 胡立明, 余凯. 广东化工, 2010, 37 (1), 73.]
78. [78]
  (78) Lahouij, I.; Bucholz, E.W.; Vacher, B.; Sinnott, S. B.; Martin,J. M.; Dassenoy, F. Nat. Nanotechnol. 2012, 23, 375701.(78) Lahouij, I.; Bucholz, E.W.; Vacher, B.; Sinnott, S. B.; Martin,J. M.; Dassenoy, F. Nat. Nanotechnol. 2012, 23, 375701.
79. [79]
  (79) laz, B.; Tetouani, S.; Diomidis, N.; Michaud, V.; Mischler,S. J. Appl. Polym. Sci. 2012, 125 (5), 3745. doi: 10.1002/app.v125.5(79) laz, B.; Tetouani, S.; Diomidis, N.; Michaud, V.; Mischler,S. J. Appl. Polym. Sci. 2012, 125 (5), 3745. doi: 10.1002/app.v125.5
80. [80]
  (80) Stefanov, M.; Enyashin, A, N.; Heine, T.; Seifert, G. J. Phys.Chem. C 2008, 112, 17764. doi: 10.1021/jp808204n(80) Stefanov, M.; Enyashin, A, N.; Heine, T.; Seifert, G. J. Phys.Chem. C 2008, 112, 17764. doi: 10.1021/jp808204n
81. [81]
  (81) Feng, C. Q.; Ma, J.; Li, H.; Zeng, R.; Guo, Z. P.; Liu, H. K.Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811. doi: 10.1016/j.materresbull.2009.05.018(81) Feng, C. Q.; Ma, J.; Li, H.; Zeng, R.; Guo, Z. P.; Liu, H. K.Mater. Res. Bull. 2009, 44, 1811. doi: 10.1016/j.materresbull.2009.05.018
82. [82]
  (82) Hwang, H.; Kim, H.; Cho, J. Nano Lett. 2011, 11, 4826. doi: 10.1021/nl202675f(82) Hwang, H.; Kim, H.; Cho, J. Nano Lett. 2011, 11, 4826. doi: 10.1021/nl202675f
83. [83]
  (83) Li, X. L.; Li, Y. D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 13893. doi: 10.1021/jp0367575(83) Li, X. L.; Li, Y. D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 13893. doi: 10.1021/jp0367575
84. [84]
  (84) Yan, L. L.; Feng, R. J.; Yang, S. Q.; Ma, H.; Jing, L.; Chen, J.Adv. Mater. 2011, 23, 640.(84) Yan, L. L.; Feng, R. J.; Yang, S. Q.; Ma, H.; Jing, L.; Chen, J.Adv. Mater. 2011, 23, 640.
85. [85]
  (85) Banerjee, S.; Richardson,W.; Coleman, C. A. IEEE ElectronDevice Lett. 1987, 8, 347. doi: 10.1109/EDL.1987.26655(85) Banerjee, S.; Richardson,W.; Coleman, C. A. IEEE ElectronDevice Lett. 1987, 8, 347. doi: 10.1109/EDL.1987.26655
86. [86]
  (86) Wang, H.; Yu, L. L.; Lee, Y. H.; Shi, Y. M.; Hsu, A.; Chin, M.;Li, L. J.; Dubey, M.; Kong, J.; Palacios, T. Nano Lett. 2012,12, 4674. doi: 10.1021/nl302015v(86) Wang, H.; Yu, L. L.; Lee, Y. H.; Shi, Y. M.; Hsu, A.; Chin, M.;Li, L. J.; Dubey, M.; Kong, J.; Palacios, T. Nano Lett. 2012,12, 4674. doi: 10.1021/nl302015v
87. [87]
  (87) Lee, H. S.; Min, S.W.; Park, M. K.; Lee, Y. T.; Jeon, P. J.;Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Small 2012, 8, 3111. doi: 10.1002/smll.v8.20(87) Lee, H. S.; Min, S.W.; Park, M. K.; Lee, Y. T.; Jeon, P. J.;Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Small 2012, 8, 3111. doi: 10.1002/smll.v8.20
88. [88]
  (88) Cheng, Y.W.; Yang, Z.;Wei, H.;Wang, Y. Y.;Wei, L. M.;Zhang, Y. F. Acta Phys. -Chim. Sin. 2010, 26 (12), 3127.[程应武, 杨志, 魏浩, 王艳艳, 魏良明, 张亚飞. 物理化学学报, 2010, 26 (12), 3127.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20101138(88) Cheng, Y.W.; Yang, Z.;Wei, H.;Wang, Y. Y.;Wei, L. M.;Zhang, Y. F. Acta Phys. -Chim. Sin. 2010, 26 (12), 3127.[程应武, 杨志, 魏浩, 王艳艳, 魏良明, 张亚飞. 物理化学学报, 2010, 26 (12), 3127.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20101138
89. [89]
  (89) Miremadi, B. K.; Singh, R. C.; Morrison, S. R.; Colbow, K.Appl. Phys. A-Mater. 1996, 63, 271.(89) Miremadi, B. K.; Singh, R. C.; Morrison, S. R.; Colbow, K.Appl. Phys. A-Mater. 1996, 63, 271.
90. [90]
  (90) He, Q. Y.; Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Li, H.;Wu, S. X.; Huang, X.;Zhang, H. Small 2012, 8, 2994. doi: 10.1002/smll.v8.19(90) He, Q. Y.; Zeng, Z. Y.; Yin, Z. Y.; Li, H.;Wu, S. X.; Huang, X.;Zhang, H. Small 2012, 8, 2994. doi: 10.1002/smll.v8.19
91. [91]
  (91) urmelon, E.; Lignier, O.; Hadouda, H.; Couturier, G.;Bernede, J. C.; Tedd, J.; Pouzet, J.; Salardenne, J. Sol. EnergyMater. Sol. Cells 1997, 46, 115. doi: 10.1016/S0927-0248(96)00096-7(91) urmelon, E.; Lignier, O.; Hadouda, H.; Couturier, G.;Bernede, J. C.; Tedd, J.; Pouzet, J.; Salardenne, J. Sol. EnergyMater. Sol. Cells 1997, 46, 115. doi: 10.1016/S0927-0248(96)00096-7
92. [92]
  (92) Yin, Z. Y.; Li, H.; Li, H.; Jiang, L.; Shi, Y. M.; Sun, Y. H.; Lu,G.; Zhang, Q.; Chen, X. D.; Zhang, H. ACS Nano 2012, 6, 74.doi: 10.1021/nn2024557(92) Yin, Z. Y.; Li, H.; Li, H.; Jiang, L.; Shi, Y. M.; Sun, Y. H.; Lu,G.; Zhang, Q.; Chen, X. D.; Zhang, H. ACS Nano 2012, 6, 74.doi: 10.1021/nn2024557
93. [93]
  (93) Wang, Q. H.; Zadeh, K. K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M.S. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699. doi: 10.1038/nnano.2012.193(93) Wang, Q. H.; Zadeh, K. K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M.S. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699. doi: 10.1038/nnano.2012.193
94. [94]
  (94) Lee, H. S.; Min, S.W.; Chang, Y. G.; Park, M. K.; Nam, T.;Kim, H.; Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Nano Lett. 2012, 12,3695. doi: 10.1021/nl301485q(94) Lee, H. S.; Min, S.W.; Chang, Y. G.; Park, M. K.; Nam, T.;Kim, H.; Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Nano Lett. 2012, 12,3695. doi: 10.1021/nl301485q
95. [95]
  (95) Choi,W.; Cho, M. Y.; Konar, A.; Lee, J. H.; Cha, G. B.; Hong,S. C.; Kim, S.; Kim, J. Y.; Jena, D.; Joo, J.; Kim, S. Adv. Mater.2012, 24, 5832. doi: 10.1002/adma.201201909(95) Choi,W.; Cho, M. Y.; Konar, A.; Lee, J. H.; Cha, G. B.; Hong,S. C.; Kim, S.; Kim, J. Y.; Jena, D.; Joo, J.; Kim, S. Adv. Mater.2012, 24, 5832. doi: 10.1002/adma.201201909
96. [96]
  (96) Deng, Z. R.; Yang, S. Y.; Meng, L. C.; Lou, Z. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (4), 700. [邓召儒, 杨盛谊, 孟令川, 娄志东. 物理化学学报, 2008, 24 (4), 700.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20080427(96) Deng, Z. R.; Yang, S. Y.; Meng, L. C.; Lou, Z. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (4), 700. [邓召儒, 杨盛谊, 孟令川, 娄志东. 物理化学学报, 2008, 24 (4), 700.] doi: 10.3866/PKU.WHXB20080427
97. [97]
  (97) Chen, R. F.; Xie, G. H.; Zhao, Y.; Zhang, S. L.; Yin, J.; Liu, S.Y.; Huang,W. Org. Electron. 2011, 12, 1619. doi: 10.1016/j.orgel.2011.05.025(97) Chen, R. F.; Xie, G. H.; Zhao, Y.; Zhang, S. L.; Yin, J.; Liu, S.Y.; Huang,W. Org. Electron. 2011, 12, 1619. doi: 10.1016/j.orgel.2011.05.025
98. [98]
  (98) Tang, X. Q.; Yu, J. S.; Li, L.;Wang, J.; Jiang, Y. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (6), 1012. [唐晓庆, 于军胜,李璐, 王军, 蒋亚东. 物理化学学报, 2008, 24 (6), 1012.]doi: 10.3866/PKU.WHXB20080617(98) Tang, X. Q.; Yu, J. S.; Li, L.;Wang, J.; Jiang, Y. D. ActaPhys. -Chim. Sin. 2008, 24 (6), 1012. [唐晓庆, 于军胜,李璐, 王军, 蒋亚东. 物理化学学报, 2008, 24 (6), 1012.]doi: 10.3866/PKU.WHXB20080617
99. [99]
  (99) Chen, R. F.; Zheng, C.; Fan, Q. L.; Huang,W. Prog. Chem.2010, 22, 696.(99) Chen, R. F.; Zheng, C.; Fan, Q. L.; Huang,W. Prog. Chem.2010, 22, 696.
100. [100]
  (100) Reynolds, K. J.; Barker, J. A.; Greenham, N. C.; Friend, R. H.;Frey, G. L. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7556. doi: 10.1063/1.1522812(100) Reynolds, K. J.; Barker, J. A.; Greenham, N. C.; Friend, R. H.;Frey, G. L. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7556. doi: 10.1063/1.1522812
101. [101]
  (101) Liu, J. Q.; Zeng, Z. Y.; Cao, X. H.; Lu, G.;Wang, L. H.; Fan,Q. L.; Huang,W.; Zhang, H. Small 2012, 8, 3517. doi: 10.1002/smll.v8.22
  (101) Liu, J. Q.; Zeng, Z. Y.; Cao, X. H.; Lu, G.;Wang, L. H.; Fan,Q. L.; Huang,W.; Zhang, H. Small 2012, 8, 3517. doi: 10.1002/smll.v8.22

扫一扫看文章

计量

PDF下载量: 4958
文章访问数: 3789
HTML全文浏览量: 219

通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com

1.
沈阳化工大学材料科学与工程学院沈阳 110142

类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用

English

Graphene-Like Molybdenum Disulfide and Its Application in Optoelectronic Devices

CCS Chemistry：嵌段共聚物自组装成 “三明治”二维有机材料，实现纳米级压力传感功能

CCS Chemistry：颜徐州、鲍哲南：你的皮肤可能是一片SPMs

CCS Chemistry：工作高效不疲劳，只须让催化剂动起来

CCS Chemistry：静电组装导向聚合- 聚电解质纳米凝胶量化制备新策略

CCS Chemistry：金黄色葡萄球菌醛基脱氢酶是如何识别特异性底物的？

计量

通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com

中国化学会秘书处

类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用

English

Graphene-Like Molybdenum Disulfide and Its Application in Optoelectronic Devices

CCS Chemistry：嵌段共聚物自组装成 “三明治”二维有机材料，实现纳米级压力传感功能

CCS Chemistry：颜徐州、鲍哲南： 你的皮肤可能是一片SPMs

CCS Chemistry：工作高效不疲劳，只须让催化剂动起来

CCS Chemistry：静电组装导向聚合- 聚电解质纳米凝胶量化制备新策略

CCS Chemistry：金黄色葡萄球菌醛基脱氢酶是如何识别特异性底物的？

计量

文章相关

通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com

中国化学会秘书处

CCS Chemistry：颜徐州、鲍哲南：你的皮肤可能是一片SPMs