CdTe半导体量子点的制备及其荧光性能测定

刘建军 杨雪 张弛 赵雪钰 张志玮 陈咏梅 徐庆红 金劭

引用本文: 刘建军, 杨雪, 张弛, 赵雪钰, 张志玮, 陈咏梅, 徐庆红, 金劭. CdTe半导体量子点的制备及其荧光性能测定[J]. 大学化学, 2024, 39(7): 307-315. doi: 10.3866/PKU.DXHX202311031 shu
Citation:  Jianjun Liu,  Xue Yang,  Chi Zhang,  Xueyu Zhao,  Zhiwei Zhang,  Yongmei Chen,  Qinghong Xu,  Shao Jin. Preparation and Fluorescence Characterization of CdTe Semiconductor Quantum Dots[J]. University Chemistry, 2024, 39(7): 307-315. doi: 10.3866/PKU.DXHX202311031 shu

CdTe半导体量子点的制备及其荧光性能测定

摘要: 半导体量子点是一种由II–VI族(CdSe, CdTe, CdS, ZnTe, ZnO)、III–V族(InAs, GaSb, InP)和IV族(Si, Ge)元素组成的纳米颗粒。目前研究较多的主要是II–VI族的CdS、CdSe、CdTe等半导体量子点,它们具有窄带隙而表现出优异的荧光特性,这些特性是与其本征的量子尺寸效应密切相关的。本实验采用简便的水相回流法,以巯基乙酸作为保护剂,NaHTe为Te前体,在3 h的回流反应中制备出多种颜色的CdTe半导体量子点,并针对实验中出现的NaHTe转移液体过程中易被氧化的问题作出了改进,对产物的荧光性能进行了测定,最终得到了一系列量子产率达到48%的CdTe量子点。实验具有工艺简便、试剂消耗少、荧光变化明显的优点,对实验难点的改进使其具有良好的操作性与可重复性,适合拓展为本科生无机化学、仪器分析实验以及专业综合实验。

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  • 发布日期:  2023-12-18
  • 收稿日期:  2023-11-09
  • 修回日期:  2023-12-11
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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