采用传统固相法制备了La³⁺掺杂的0.28Pb (In_1/2Nb_1/2) O₃-0.32Pb (Zn_1/3Nb_2/3) O₃-0.3PbTiO₃-0.1PbZrO₃(PIN-PZN-PZT)四元压电陶瓷，研究了La³⁺掺杂量对PIN-PZN-PZT四元压电陶瓷微观结构和电学性能的影响。结果表明：引入La³⁺可以增强压电陶瓷局部结构异质性，进而提升介电弛豫特性并提高压电性能。当La₂O₃含量为1.5%时，获得了兼具高电致应变(0.23%)和高居里温度(206℃)的压电陶瓷材料。