我们以宽带隙聚合物聚(3-己基噻吩) (P3HT)为给体，窄带隙聚合物聚{2, 2'-((2Z, 2'Z)-((12, 13-双(2-癸基十四烷基)-6-(2-乙基己基)-4, 8-二甲基-6, 8, 12, 13-四氢-4氢-苯并[1, 2, 3]三唑并噻吩[2'', 3'': 4', 5']并吡咯[2', 3': 4, 5]并吡咯[3, 2-g]并噻吩[2', 3': 4, 5]并吡咯[3, 2-b]并[4, 5-e]吲哚-2, 10-二基)双(甲烷亚甲基))双(5, 5’-3-氧-2, 3-二氢-1氢-2, 1-二亚基茚))二丙二腈-连-2, 5-二噻吩} (PTz-PT)为受体，研制了基于氧化铟锡(ITO)/聚(3, 4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸) (PEDOT: PSS)/有源层/Al结构的倍增型全聚合物光电探测器(PM-APDs)。我们制备了P3HT : PTz-PT质量比为100 : 1、100 : 4、100 : 7和100 : 10的四种不同比例的二元PM-APDs。在黑暗条件下，由于Al的功函数和P3HT的最高已占据分子轨道(HOMO)之间存在0.8 eV的能级差距，空穴难以从铝电极注入到有源层中。有源层中的PTz-PT含量较低，缺乏连续的电子传输通道，导致有源层的电子传输能力较差。在光照条件下，由于有源层中PTz-PT含量较低，并且P3HT和PTz-PT的最低未占据分子轨道(LUMO)相差0.84 eV，光生电子会被孤立的PTz-PT捕获。Al电极附近的受陷电子会引起界面能带弯曲，实现空穴隧穿注入，从而导致外量子效率(EQE)值大于100%。在−8 V偏压下，基于P3HT : PTz-PT (100:4 wt/wt)的最优二元PM-APDs在300–1100 nm的光谱范围内具有超过100%的EQE。PM-APDs的EQE光谱形状取决于铝电极附近的受陷电子分布。通过引入聚合物聚(2-(4, 8-双(4-(2-乙基己基)环戊二烯并-1, 3-啶-1-基)苯并[1, 2-b: 4, 5-b']二噻吩-2-基)-5, 5-二氟-10-(5-(2-己基癸基)噻吩-2-基)-3, 7-二甲基-5H-4λ4, 5λ4-二吡咯[1, 2-c: 2', 1'-f][1, 3, 2]二氮杂硼嗪) (PMBBDT)作为第三组分，PM-APDs的EQE光谱形状变得更平坦。我们制备了P3HT : PMBBDT : PTz-PT质量比分别为90 : 10 : 4和80 : 20 : 4的三元PM-APDs。三元PM-APDs的EQE值在420–600 nm的范围内提高，而在630–870 nm的范围内降低。三元PM-APDs具有更平坦的EQE光谱是由于其在Al电极附近的受陷电子分布更均匀。此外，在连续光照和外加偏压的条件下，三元PM-APDs的稳定性高于最优二元PM-APDs。在−12 V偏压下，最优三元PM-APDs的EQE值在350 nm处为3500%，在550 nm处为1250%，在900 nm处为1500%。在−10 V偏压下，最优三元PM-APDs的比探测度(D_shot^*)值在520 nm处为3.7 × 10¹² Jones，在850 nm处为1.9 × 10¹³ Jones。最优三元PM-APDs在−10 V偏压下被白光连续照射170 min后，光电流为初始值的87%。我们利用最优三元PM-APDs搭建了光电容积描记(PPG)传感器并成功地测量了人体心率(HR)，测得的HR与人体正常心率相符。