ITO基底上ZnO薄膜的制备以及刻蚀图形的扫描电化学显微镜表征

汤儆 郑晶晶 徐炜 田晓春 林建航

引用本文: 汤儆, 郑晶晶, 徐炜, 田晓春, 林建航. ITO基底上ZnO薄膜的制备以及刻蚀图形的扫描电化学显微镜表征[J]. 物理化学学报, 2011, 27(11): 2613-2617. doi: 10.3866/PKU.WHXB20111117 shu
Citation:  TANG Jing, ZHENG Jing-Jing, XU Wei, TIAN Xiao-Chun, LIN Jian-Hang. Synthesis of ZnO on ITO and Etched Pattern Characterization by Scanning Electrochemical Microscopy[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2011, 27(11): 2613-2617. doi: 10.3866/PKU.WHXB20111117 shu

ITO基底上ZnO薄膜的制备以及刻蚀图形的扫描电化学显微镜表征

  • 基金项目:

    国家自然科学基金(20873112, 21073038)资助项目 (20873112, 21073038)

摘要: 在氧化铟锡(ITO)导电玻璃的衬底上, 利用直接电沉积方法制备了ZnO纳米线或ZnO薄膜. 然后利用存储有HCl刻蚀剂的琼脂糖微图案印章对其进行了化学刻蚀以形成不同的图形. 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和扫描电化学显微镜(SECM)分别对ITO衬底上的ZnO薄膜的结构、形貌和电化学性质进行表征.

English

    1. [1]

      (1) Zhang, Q. F.; Chou, T. P.; Russo, B.; Jenekhe, S. A.; Cao, G. Z. Angew. Chem. Int. Edit. 2008, 47, 2402.  (1) Zhang, Q. F.; Chou, T. P.; Russo, B.; Jenekhe, S. A.; Cao, G. Z. Angew. Chem. Int. Edit. 2008, 47, 2402.  

    2. [2]

      (2) Vayssieres, L.; Keis, K.; Hagfeldt, A.; Lindquist, S. E. Chem. Mater. 2001, 13, 4395.  (2) Vayssieres, L.; Keis, K.; Hagfeldt, A.; Lindquist, S. E. Chem. Mater. 2001, 13, 4395.  

    3. [3]

      (3) Gao, Y. F.; Nagai, M. Langmuir 2006, 22, 3936.  (3) Gao, Y. F.; Nagai, M. Langmuir 2006, 22, 3936.  

    4. [4]

      (4) Yang, Z. Z.; Xu, T.; Ito, Y.;Welp, U.; Kwok,W. K. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 20521.  (4) Yang, Z. Z.; Xu, T.; Ito, Y.;Welp, U.; Kwok,W. K. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 20521.  

    5. [5]

      (5) Chen, Y.W.; Qiao, Q.; Liu, Y. C.; Yang, G. L. The Journal of Physical Chemistry C 2009, 113, 7497.  (5) Chen, Y.W.; Qiao, Q.; Liu, Y. C.; Yang, G. L. The Journal of Physical Chemistry C 2009, 113, 7497.  

    6. [6]

      (6) Liu, N. S.; Fang, G. J.; Zeng,W.; Zhou, H.; Cheng, F.; Zheng, Q.; Yuan, L. Y.; Zou, X.; Zhao, X. Z. ACS Applied Materials & Interfaces 2010, 2, 1973.  (6) Liu, N. S.; Fang, G. J.; Zeng,W.; Zhou, H.; Cheng, F.; Zheng, Q.; Yuan, L. Y.; Zou, X.; Zhao, X. Z. ACS Applied Materials & Interfaces 2010, 2, 1973.  

    7. [7]

      (7) Fan, H. J.; Lotnyk, A.; Scholz, R.; Yang, Y.; Kim, D. S.; Pippel, E.; Senz, S.; Hesse, D.; Zacharias, M. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 6770.  (7) Fan, H. J.; Lotnyk, A.; Scholz, R.; Yang, Y.; Kim, D. S.; Pippel, E.; Senz, S.; Hesse, D.; Zacharias, M. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 6770.  

    8. [8]

      (8) Li, C.; Fang, G. J.; Li, J.; Ai, L.; Dong, B. Z.; Zhao, X. Z. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 990.  (8) Li, C.; Fang, G. J.; Li, J.; Ai, L.; Dong, B. Z.; Zhao, X. Z. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 990.  

    9. [9]

      (9) Xu, L. F.; Guo, Y.; Liao, Q.; Zhang, J. P.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13519.  (9) Xu, L. F.; Guo, Y.; Liao, Q.; Zhang, J. P.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 13519.  

    10. [10]

      (10) Xu, L. F.; Chen, Q.W.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 11560.  (10) Xu, L. F.; Chen, Q.W.; Xu, D. S. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 11560.  

    11. [11]

      (11) Rybczynski, J.; Banerjee, D.; Kosiorek, A.; Giersig, M.; Ren, Z. F. Nano Lett. 2004, 4, 2037.  (11) Rybczynski, J.; Banerjee, D.; Kosiorek, A.; Giersig, M.; Ren, Z. F. Nano Lett. 2004, 4, 2037.  

    12. [12]

      (12) Campbell, C. J.; Smoukov, S. K.; Bishop, K. J. M.; Baker, E.; Grzybowski, B. A. Adv. Mater. 2006, 18, 2004.  (12) Campbell, C. J.; Smoukov, S. K.; Bishop, K. J. M.; Baker, E.; Grzybowski, B. A. Adv. Mater. 2006, 18, 2004.  

    13. [13]

      (13) Bitner, A.; Fia?kowski, M.; Grzybowski, B. A. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 19904.  (13) Bitner, A.; Fia?kowski, M.; Grzybowski, B. A. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 19904.  

    14. [14]

      (14) Zhang, L.; Zhuang, J. L.; Ma, X. Z.; Tang, J.; Tian, Z.W. Electrochem. Commun. 2007, 9, 2529.  (14) Zhang, L.; Zhuang, J. L.; Ma, X. Z.; Tang, J.; Tian, Z.W. Electrochem. Commun. 2007, 9, 2529.  

    15. [15]

      (15) Kwak, J.; Bard, A. J. Anal. Chem. 1989, 61, 1794.  (15) Kwak, J.; Bard, A. J. Anal. Chem. 1989, 61, 1794.  

    16. [16]

      (16) Mirkin, M. V.; Richards, T. C.; Bard, A. J. J. Phys. Chem. 1993, 97, 7672.  (16) Mirkin, M. V.; Richards, T. C.; Bard, A. J. J. Phys. Chem. 1993, 97, 7672.  

    17. [17]

      (17) Bard, A. J.; Mirkin, M. V.; Unwin, P. R.;Wipf, D. O. J. Phys. Chem. 1992, 96, 1861.  (17) Bard, A. J.; Mirkin, M. V.; Unwin, P. R.;Wipf, D. O. J. Phys. Chem. 1992, 96, 1861.  

    18. [18]

      (18) Horrocks, B. R.; Mirkin, M. V.; Bard, A. J. J. Phys. Chem. 1994, 98, 9106.  (18) Horrocks, B. R.; Mirkin, M. V.; Bard, A. J. J. Phys. Chem. 1994, 98, 9106.  

    19. [19]

      (19) Pradhan, D.; Kumar, M.; Ando, Y.; Leung, K. T. ACS Appl. Mater. Interfaces 2009, 1, 789.  (19) Pradhan, D.; Kumar, M.; Ando, Y.; Leung, K. T. ACS Appl. Mater. Interfaces 2009, 1, 789.  

    20. [20]

      (20) Smoukov, S. K.; Bishop, K. J. M.; Klajn, R.; Campbell, C. J.; Grzybowski, B. A. Adv. Mater. 2005, 17, 1361.  (20) Smoukov, S. K.; Bishop, K. J. M.; Klajn, R.; Campbell, C. J.; Grzybowski, B. A. Adv. Mater. 2005, 17, 1361.  

    21. [21]

      (21) Han, N. N.;Wang, H.; Li, N.; Zhou, J. Z.; Lin, Z. H.;Wu, D.; Wan, G. J. Acta Phys. -Chim. Sin. 2011, 27, 468. [韩楠楠, 王慧, 栗娜, 周剑章, 林仲华, 吴迪, 万国江. 物理化学学报, 2011, 27, 468.](21) Han, N. N.;Wang, H.; Li, N.; Zhou, J. Z.; Lin, Z. H.;Wu, D.; Wan, G. J. Acta Phys. -Chim. Sin. 2011, 27, 468. [韩楠楠, 王慧, 栗娜, 周剑章, 林仲华, 吴迪, 万国江. 物理化学学报, 2011, 27, 468.]

  • 加载中
计量
  • PDF下载量:  1208
  • 文章访问数:  2964
  • HTML全文浏览量:  3
文章相关
  • 发布日期:  2011-10-27
  • 收稿日期:  2011-04-18
  • 网络出版日期:  2011-09-06
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
  • 1. 

    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

  1. 本站搜索
  2. 百度学术搜索
  3. 万方数据库搜索
  4. CNKI搜索

/

返回文章