ZnO纳米电缆的制备、结构和生长机理

贺建 黄运华 张跃 顾有松 纪箴 周成

引用本文: 贺建, 黄运华, 张跃, 顾有松, 纪箴, 周成. ZnO纳米电缆的制备、结构和生长机理[J]. 物理化学学报, 2005, 21(06): 637-640. doi: 10.3866/PKU.WHXB20050612 shu
Citation:  HE Jian, HUANG Yun-hua, ZHANG Yue, GU You-song, JI Zhen, ZHOU Cheng. Synthesis, Growth Mechanism and Microstructure of ZnO Nanocables[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2005, 21(06): 637-640. doi: 10.3866/PKU.WHXB20050612 shu

ZnO纳米电缆的制备、结构和生长机理

摘要: 以混合的锌粉和锡粉作为原料, 通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有“芯线-壳层”同轴结构的ZnO/SiOx纳米电缆. 扫描和透射电镜的研究表明, 这种纳米电缆的产量很高, 长度达到数个微米, 并且确认了其“芯线-壳层”的独特结构. 不同于以往ZnO一维纳米材料的三个快速生长方向〈0001〉、〈0110〉及〈2110〉, 其ZnO芯线的生长方向为[2021]. 本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂, 通过控制锌粉的蒸发速率以及金硅共熔反应使ZnO纳米电缆在硅基片上得到一维生长. 这种纳米电缆可望在纳米尺度的电路、电器以及力学和光学信号的耦合和转换方面得到应用.

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  • 发布日期:  2005-06-15
  • 收稿日期:  2004-10-22
  • 网络出版日期:  2005-06-15
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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