碱土金属氧化物掺杂氧化铈基电解质材料中的晶格缺陷

马志芳 梁广川 梁金生

引用本文: 马志芳, 梁广川, 梁金生. 碱土金属氧化物掺杂氧化铈基电解质材料中的晶格缺陷[J]. 物理化学学报, 2005, 21(06): 663-667. doi: 10.3866/PKU.WHXB20050617 shu
Citation:  MA Zhi-fang, LIANG Guang-chuan, LIANG Jin-sheng. Crystal Defect Behaviors in CeO2-based Electrolyte Doped with Alkaline Earth Oxides[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2005, 21(06): 663-667. doi: 10.3866/PKU.WHXB20050617 shu

碱土金属氧化物掺杂氧化铈基电解质材料中的晶格缺陷

摘要: 基于能量最小化算法,对碱土金属氧化物(M 、CaO、SrO、BaO)掺杂的氧化铈基电解质缺陷进行模拟计算. 研究了掺杂离子与空位缺陷形成能和氧空位跃迁能之间的关系. 结果说明,在碱土金属氧化物掺杂氧化铈的固溶反应中,氧空位缺陷是电荷补偿缺陷的首选形式,CaO和SrO较M 和BaO 易溶于CeO2; Ca2+掺杂离子与氧空位缺陷对[CaCe″•VO••]×的结合能最高;复合缺陷[VO•••MCe″•VO••]••在CeO2中的状态不稳定;氧空位在次近邻间的跃迁能最低,因此最容易实现跃迁.

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  • 发布日期:  2005-06-15
  • 收稿日期:  2004-11-04
  • 网络出版日期:  2005-06-15
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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