直流电沉积Ni-Al2O3纳米阵列体系结构与性能

徐金霞 黄新民 钱利华

引用本文: 徐金霞, 黄新民, 钱利华. 直流电沉积Ni-Al2O3纳米阵列体系结构与性能[J]. 物理化学学报, 2003, 19(03): 265-267. doi: 10.3866/PKU.WHXB20030317 shu
Citation:  Xu Jin-Xia, Huang Xin-Min, Qian Li-Hua. Structure and Properties of Ni-Al2O3 Nanochannel Array System by Direct Current Electro-deposition[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2003, 19(03): 265-267. doi: 10.3866/PKU.WHXB20030317 shu

直流电沉积Ni-Al2O3纳米阵列体系结构与性能

摘要: 用直流电沉积的方法成功地将Ni金属填入了用二次腐蚀方法制备的氧化铝模板纳米级孔洞中,分别用电子显微镜、X射线衍射仪和振动样品磁强计对Ni阵列体系进行结构观察和磁性表征.结果表明,用二次腐蚀方法制得的多孔氧化铝模板的孔洞排布的有序性很高.被组装的Ni呈单晶结构并具有一定的择优取向; Ni-Al2O3阵列体系有明显的垂直磁各向异性,适用于垂直磁记录介质.

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  • 发布日期:  2003-03-15
  • 收稿日期:  2002-06-14
  • 网络出版日期:  2003-03-15
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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