VA族元素对阳极铅(II)氧化物膜半导体性质的影响(I)

浦琮 周伟舫

引用本文: 浦琮, 周伟舫. VA族元素对阳极铅(II)氧化物膜半导体性质的影响(I)[J]. 物理化学学报, 1994, 10(03): 260-265. doi: 10.3866/PKU.WHXB19940313 shu
Citation:  Pu Cong, Zhou Wei-Fang. Effect of VA Elements on the Semiconducting Properties of the Anodic Plumbous Oxide Film (I)[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 1994, 10(03): 260-265. doi: 10.3866/PKU.WHXB19940313 shu

VA族元素对阳极铅(II)氧化物膜半导体性质的影响(I)

摘要:

用交流阻抗法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋金在4.5 mol·L~(-1) H_2SO_4溶液(20 ℃)中,以0.9 V(vs.Hg/Hg_2SO_4)极化2 h而形成的阳极膜的半导体性质.根据Mott-Schottky图,此种膜为n型半导体.pb,pb-lat%As,Pb-lat%Sb和Sb-lat%Bi上膜的平带电位分别为-0.95,-1.1, -1.0,-1.1 V(vs. Hg/Hg_2SO_4);相应的施主密度分别为0.82×10~(16),2.6×10~(16),1.2×10~(17)和0.71×10~(16) cm~(-3).

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  • 发布日期:  1994-03-15
  • 收稿日期:  1992-09-04
  • 网络出版日期:  1994-03-15
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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