6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性

刘金锋 刘忠良 任鹏 徐彭寿 陈秀芳 徐现刚

引用本文: 刘金锋, 刘忠良, 任鹏, 徐彭寿, 陈秀芳, 徐现刚. 6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性[J]. 物理化学学报, 2008, 24(04): 571-575. doi: 10.1016/S1872-1508(08)60024-8 shu
Citation:  LIU Jin-Feng, LIU Zhong-Liang, REN Peng, XU Peng-Shou, CHEN Xiu-Fang, XU Xian-Gang. Fabrication and Luminescent Properties of 6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC Quantum Well Structure[J]. Acta Physico-Chimica Sinica, 2008, 24(04): 571-575. doi: 10.1016/S1872-1508(08)60024-8 shu

6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性

摘要: 利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在1350K的衬底温度下, 通过改变Si束流强度, 在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜, 并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征. RHEED 结果显示生长的薄膜为6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜. 室温下He-Gd激光激发的光致发光(PL)谱显示, 薄膜在480-600 nm范围内存在衬底未观察到的较强发光. 拟合得到的发光峰与依据量子阱结构模型计算出的发光位置较为一致. 由此表明, 该强发光带可能是6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构的发光.

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  • 发布日期:  2008-04-07
  • 收稿日期:  2007-11-12
  • 网络出版日期:  2008-03-03
通讯作者: 陈斌, bchen63@163.com
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    沈阳化工大学材料科学与工程学院 沈阳 110142

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